RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 12, 2024
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

2004

 / 

Март

←  →

Обзоры актуальных проблем


Исследования полупроводников с дефектами методом комбинационного (рамановского) рассеяния света


Институт теоретической физики им. Л.Д. Ландау РАН, ул. Косыгина 2, Москва, 119334, Российская Федерация

Рассмотрено влияние дефектов и носителей заряда на динамику решетки и, в частности, на комбинационное рассеяние света в полупроводниках и металлах; проведено сравнение теории с экспериментальными данными. Рассеяние фононов на точечных, линейных или плоских дефектах приводит к смещению фононных частот и затуханию, что сказывается на форме линии комбинационного рассеяния. Этот эффект используется для исследования упругих напряжений вблизи границ, а также для определения качества полупроводниковых элементов. Анализ взаимодействия фононов с носителями заряда основан на адиабатичности электрон-фононной системы и прямом учете кулоновского поля, возбуждаемого при колебаниях решетки. Присутствие носителей особенно существенно вблизи таких частот и волновых векторов фононов, где возникает затухание Ландау вследствие рождения электрон-дырочных пар. Обсуждается возможность определения величины электрон-фононного взаимодействия при исследовании спектра связанных фонон-плазмонных мод.

Текст pdf (645 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2004v047n03ABEH001735
PACS: 63.20.−e, 63.20.Dj, 78.30.−j (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0174.200403b.0259
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2004/3/b/
000223338900002
2004PhyU...47..249F
Цитата: Фальковский Л А "Исследования полупроводников с дефектами методом комбинационного (рамановского) рассеяния света" УФН 174 259–283 (2004)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Falkovsky L A “Investigation of semiconductors with defects using Raman scattering” Phys. Usp. 47 249–272 (2004); DOI: 10.1070/PU2004v047n03ABEH001735

Список литературы (92) ↓ Статьи, ссылающиеся на эту (16) Похожие статьи (20)

  1. Klemens P G Phys. Rev. 148 845 (1966)
  2. Debernardi A, Baroni S, Molinari E Phys. Rev. Lett. 75 1819 (1995)
  3. Barker A S (Jr), Sievers A J Rev. Mod. Phys. 47 (Suppl. 2) S1 (1975)
  4. Taylor D W in Dynamical Properties of Solids Vol. 2 Crystalline Solids, Applications (Eds G K Horton, A A Maradudin) (Amsterdam: North-Holland Publ. Co., 1975) p. 285
  5. Klein M V in Dynamical Properties of Solids Vol. 6 The Modern Physics of Phonons (Eds G K Horton, A A Maradudin) (Amsterdam: North-Holland Publ. Co., 1990) p. 65
  6. Плеханов В Г УФН 173 711 (2003); Plekhanov V G Phys. Usp. 46 689 (2003)
  7. Cardona M, Ruf T Solid State Commun. 117 201 (2001)
  8. Cerdeira F et al. Phys. Rev. B 5 580 (1972)
  9. Merle P et al. Phys. Rev. B 21 1617 (1980)
  10. Feng Z C, Choyke W J, Powell J A J. Appl. Phys. 64 6827 (1988)
  11. Weinstein B A, Zallen R in Light Scattering in Solids IV: Electronic Scattering, Spin Effects, SERS, and Morphic Effects (Topics in Applied Physics, Vol. 54, Eds M Cardona, G Güntherodt) (Berlin: Springer-Verlag, 1984) p. 463
  12. Yakovenko E V, Goncharov A F, Stishov S M High Pressure Research 7 433 (1991)
  13. Ulrich C et al. Phys. Rev. Lett. 78 1283 (1997)
  14. Yakovenko E V, Gauthier M, Polian A ЖЭТФ (2004), в печати
  15. Tiong K K et al. Appl. Phys. Lett. 44 122 (1984)
  16. Richter H, Wang Z P, Ley L Solid State Commun. 39 625 (1981)
  17. Campbell I H, Fauchet P M Solid State Commun. 58 739 (1986)
  18. Tamura S Phys. Rev. B 30 849 (1984)
  19. Göbel A et al. Phys. Rev. B 59 2749 (1999)
  20. Ager J W III, Veirs D K, Rosenblatt G M Phys. Rev. B 43 6491 (1991)
  21. Wagner J et al. Phys. Rev. B 40 1817 (1989)
  22. Schwoerer-Böhning M, Macrander A T, Arms D A Phys. Rev. Lett. 80 5572 (1998)
  23. Falkovsky L A Письма в ЖЭТФ 66 817 (1997)
  24. Camassel J, Contreras S, Robert J L C.R. Acad. Sci. Ser. IV 1 5 (2000)
  25. Falkovsky L A, Bluet J M, Camassel J Phys. Rev. B 55 R14697 (1997)
  26. Falkovsky L A, Bluet J M, Camassel J Phys. Rev. B 57 11283 (1998)
  27. Cree Research Inc., http://cree.com/
  28. Camassel J et al. Electron. Lett. 35 1284 (1999)
  29. Camassel J, Falkovsky L A, Planes N Phys. Rev. B 63 035309 (2001)
  30. "Silicon-on-insulator technology" MRS Bulletin 23 (12) (1998)
  31. Tong Q-Y, Gösele U Semiconductor Wafer Bonding: Science and Technology (The Electrochemical Soc. Series) (New York: John Wiley, 1999)
  32. Bruel M Electron. Lett. 58 1284 (1999)
  33. Letavic T J et al. in Proc. of the 1st Intern. Symp. on Semiconductor Wafer Bonding: Science, Technology and Applications, Phoenix, Ariz., USA, 1991 (Proc. Electrochemical Soc., Vol. 92-7, Eds U Gösele) (Pennington, NJ: Electrochemical Soc., 1992) p. 397
  34. Schwarz K W Phys. Rev. Lett. 78 4785 (1997)
  35. Gillard V T, Nix W D, Freund L B J. Appl. Phys. 76 7280 (1994)
  36. Romanov A E et al. J. Appl. Phys. 85 182 (1999)
  37. Charpenay S et al. in Proc. of the 1998 IEEE Intern. SOI Conf. (1998) p. 43
  38. Scott J F, Porto S P S Phys. Rev. 161 903 (1967)
  39. Kleinman D A, Spitzer W G Phys. Rev. 125 16 (1962)
  40. Jayaraman A, Wood D L, Maines R G (Sr) Phys. Rev. B 35 8316 (1987)
  41. Camassel J, Goullet A, Pascual J Phys. Rev. B 38 8419 (1988)
  42. Kirk C T Phys. Rev. B 38 1255 (1988)
  43. Kamitsos E I, Patsis A P, Kordas G Phys. Rev. B 48 12499 (1993)
  44. Лифшиц И М ЖЭТФ 17 1017 (1947); Lifshitz I M Nuovo Cimento 3 (Suppl.) 716 (1956); Лифшиц И М УФН 83 617 (1964); Lifshitz I M Sov. Phys. Usp. 7 549 (1965)
  45. Böttger H Principles of the Theory of Lattice Dynamics (Weinheim: Physik-Verlag, 1983), Ch. 2
  46. Lifshits I M, Gredeskul S A, Pastur L A Introduction to the Theory of Disordered Systems (New York: Wiley, 1988)
  47. Rohmfeld S, Hundhausen M, Ley L Phys. Rev. B 58 9858 (1998)
  48. Nakashima S et al. Appl. Phys. Lett. 77 3612 (2000)
  49. Falkovsky L A Phys. Rev. B 64 024301 (2001)
  50. Борн М, Кунь Х Динамическая теория кристаллических решеток (М.: ИЛ, 1958), Гл. 2, 5
  51. Вакс В Г Введение в микроскопическую теорию сегнетоэлектриков (М.: Наука, 1973), Гл. 6
  52. Grille H, Schnittler Ch, Bechstedt F Phys. Rev. B 61 6091 (2000)
  53. Bungaro C, Rapcewicz K, Bernholc J Phys. Rev. B 61 6720 (2000)
  54. Falkovsky L A ЖЭТФ 119 966 (2001)
  55. Feldman D W et al. Phys. Rev. 170 698 (1968); Feldman D W et al. Phys. Rev. 173 787 (1968)
  56. Фальковский Л А Письма в ЖЭТФ 69 247 (1999)
  57. Loudon R Adv. Phys. 13 423 (1964)
  58. Harima H, Nakashima S, Uemura T J. Appl. Phys. 78 1996 (1995)
  59. Olego D, Cardona M Phys. Rev. B 23 6592 (1981)
  60. Feldman D W, Parker J H (Jr), Ashkin M Phys. Rev. Lett. 21 607 (1968)
  61. Bolotin G A, Ponosov Yu S ФТТ 27 2636 (1985); Bolotin G A, Ponosov Yu S ФТТ 30 986 (1988)
  62. Cardona M, Ipatova I P in Elementary Excitations in Solids (Eds J L Birman, C Sébenne, R F Wallis) (Amsterdam: North-Holland, 1992) p. 264, Ch. 13
  63. d'Astuto M et al. Phys. Rev. Lett. 88 167002 (2002); d'Astuto M et al. cond-mat/0201501
  64. Мигдал А Б ЖЭТФ 34 1438 (1958)
  65. Абрикосов А А, Горьков Л П, Дзялошинский И Е Методы квантовой теории поля в статистической физике 2-е изд. (М.: Добросвет, 1998) с. 277
  66. Бровман Е Г, Каган Ю ЖЭТФ 52 557 (1967)
  67. Конторович В М УФН 142 265 (1984); Kontorovich V M Sov. Phys. Usp. 27 134 (1984)
  68. Engelsberg S, Schrieffer J R Phys. Rev. 131 993 (1963)
  69. Alexandrov A S, Schrieffer J R Phys. Rev. B 56 13731 (1997)
  70. Maksimov E G, Shulga S V Solid State Commun. 97 553 (1996)
  71. Reizer M Phys. Rev. B 61 40 (2000)
  72. Гуревич В Л, Ларкин А И, Фирсов Ю А ФТТ 4 185 (1962)
  73. Ипатова И П, Субашиев А В ЖЭТФ 66 722 (1974)
  74. Ponosov Yu S et al. Phys. Status Solidi B 208 257 (1998)
  75. Abstreiter G, Cardona M, Pinczuk A Light Scattering in Solids IV: Electronic Scattering, Spin Effects, SERS, and Morphic Effects (Topics in Applied Physics, Vol. 54, Eds M Cardona, G Güntherodt) (Berlin: Springer-Verlag, 1984) p. 5
  76. Falkovsky L A ЖЭТФ 124 886 (2003)
  77. Mermin N D Phys. Rev. B 1 2362 (1970)
  78. Falkovsky L A, Mishchenko E G Phys. Rev. B 51 7239 (1995)
  79. Falkovsky L A, Klama S Physica C 264 1 (1996)
  80. Falkovsky L A Phys. Rev. B 66 020302(R) (2002); Фальковский Л А ЖЭТФ 122 411 (2002)
  81. Ландау Л Д, Лифшиц Е М Физическая кинетика (М.: Физматлит, 2001)
  82. Гантмахер В Ф, Левинсон И Б Рассеяние носителей тока в металлах и полупроводниках (М.: Наука, 1984)
  83. Abrikosov A A, Falkovskii L A ЖЭТФ 40 262 (1961)
  84. Abrikosov A A, Genkin V M ЖЭТФ 65 842 (1974)
  85. Zawadowski A, Cardona M Phys. Rev. B 42 10732 (1990)
  86. Fano U Phys. Rev. 124 1866 (1961)
  87. Hon D T, Faust W L Appl. Phys. 1 241 (1973)
  88. Artús L et al. Phys. Rev. B 60 5456 (1999)
  89. Fukasawa R, Perkowitz S Phys. Rev. B 50 14119 (1994)
  90. Perlin P et al. Phys. Rev. B 45 83 (1992)
  91. Perlin P et al. Phys. Status Solidi B 198 223 (1996)
  92. Falkovsky L A et al. Phys. Rev. B 57 11349 (1998)
© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение