RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 4, 2024
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

2001

 / 

Август

←  →

Конференции и симпозиумы


Гетероструктуры на основе нитридов третьей группы: технология, свойства, светоизлучающие приборы

 а,  а,  а,  а,  а,  а,  а,  а,  а,  а, б, в,  а
а Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Российская Федерация
б Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН, ул. Хлопина 8, корп. 3, Санкт-Петербург, 194021, Российская Федерация
в Vertically Integrated Systems (VI Systems GmbH), Hardenbergstr 7, Berlin, 10623, Germany
Текст pdf (129 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2001v044n08ABEH000968
PACS: 42.55.Px, 85.30.Vw
DOI: 10.3367/UFNr.0171.200108e.0857
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2001/8/e/
Цитата: Крестников И Л, Лундин В В, Сахаров А В, Бедарев Д А, Заварин Е Е, Мусихин Ю Г, Шмидт Н М, Цацульников А Ф, Усиков А С, Леденцов Н Н, Алферов Ж И "Гетероструктуры на основе нитридов третьей группы: технология, свойства, светоизлучающие приборы" УФН 171 857–858 (2001)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Krestnikov I L, Lundin V V, Sakharov A V, Bedarev D A, Zavarin E E, Musikhin Yu G, Shmidt N M, Tsatsul’nikov A F, Usikov A S, Ledentsov N N, Alferov Zh I “Heterostructures based on nitrides of group III elements: technical processes, properties, and light-emitting devices” Phys. Usp. 44 815–816 (2001); DOI: 10.1070/PU2001v044n08ABEH000968

Список литературы (11) Статьи, ссылающиеся на эту (1) Похожие статьи (20) ↓

  1. В.М. Устинов, Н.А. Малеев и др. «Научная сессия Отделения общей физики и астрономии Российской академии наук (31 января 2001 г.)» 171 855–857 (2001)
  2. В.М. Устинов, Н.А. Малеев и др. «Вертикально-излучающие приборы на основе структур с квантовыми точками» 171 855 (2001)
  3. Л.Е. Воробьев, Д.А. Фирсов и др. «Перспективы создания источников излучения среднего ИК диапазона на основе внутризонных межуровневых переходов носителей заряда в инжекционных лазерных гетероструктурах с квантовыми точками и ямами» 169 459–464 (1999)
  4. З.Ф. Красильник, А.В. Новиков «Оптические свойства напряженных гетероструктур на основе Si1-xGex и Si1-x-yGexCy» 170 338–341 (2000)
  5. Ж.И. Алферов, Д. Бимберг и др. «Напряженные субмонослойные гетероструктуры и гетероструктуры с квантовыми точками» 165 224–225 (1995)
  6. Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов и др. «Упорядоченные массивы квантовых точек в полупроводниковых матрицах» 166 423–428 (1996)
  7. А.В. Двуреченский, А.И. Якимов «Гетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками» 171 1371–1373 (2001)
  8. Е.Е. Вдовин, Ю.Н. Ханин и др. «Научная сессия Отделения общей физики и астрономии Российской академии наук (30 мая 2001 г.)» 171 1365–1367 (2001)
  9. А.А. Андронов, М.Н. Дроздов и др. «Транспорт в сверхрешетках со слабыми барьерами и проблема терагерцового блоховского генератора» 173 780–783 (2003)
  10. А.А. Белянин, Д. Деппе и др. «Новые схемы полупроводниковых лазеров и освоение терагерцового диапазона» 173 1015–1021 (2003)
  11. Ю.М. Попов «История создания инжекционного лазера» 181 102–107 (2011)
  12. А.Н. Ораевский «Бозе-конденсаты с точки зрения лазерной физики» 171 681–684 (2001)
  13. Ю.В. Копаев «Модели высокотемпературной сверхпроводимости» 172 712–715 (2002)
  14. Ж.И. Алфёров «Полупроводниковые приборы с гетеропереходами» 108 598–600 (1972)
  15. Д. Бимберг, И.П. Ипатова и др. «Научная сессия Отделения общей физики и астрономии Российской академии наук (29 января 1997 г.)» 167 552 (1997)
  16. Д. Бимберг, И.П. Ипатова и др. «Спонтанное упорядочение полупроводниковых наноструктур» 167 552 (1997)
  17. Н.Н. Леденцов, Дж.А. Лотт «Новое поколение вертикально-излучающих лазеров как ключевой элемент компьютерно-коммуникационной эры» 181 884–890 (2011)
  18. О.П. Пчеляков «Молекулярно-лучевая эпитаксия: оборудование, приборы, технология» 170 993–995 (2000)
  19. В.С. Летохов «Детектирование одиночных атомов и ядер методами лазерной спектроскопии» 127 729–730 (1979)
  20. В.Н. Алфеев «Свойства и применение структур на основе параэлектриков, сверхпроводников и полупроводников» 120 137–138 (1976)

Список формируется автоматически.
© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение