Гетероструктуры на основе нитридов третьей группы: технология, свойства, светоизлучающие приборы

И.Л. Крестников^а, В.В. Лундин^а, А.В. Сахаров^а, Д.А. Бедарев^а, Е.Е. Заварин^а, Ю.Г. Мусихин^а, Н.М. Шмидт^а, А.Ф. Цацульников^а, А.С. Усиков^а, Н.Н. Леденцов^а, б, в, Ж.И. Алферов^а
^аФизико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Российская Федерация
^бСанкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН, ул. Хлопина 8, корп. 3, Санкт-Петербург, 194021, Российская Федерация
^вVertically Integrated Systems (VI Systems GmbH), Hardenbergstr 7, Berlin, 10623, Germany

Текст pdf (129 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2001v044n08ABEH000968

PACS: 42.55.Px, 85.30.Vw
DOI: 10.3367/UFNr.0171.200108e.0857
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2001/8/e/
Цитата: Крестников И Л, Лундин В В, Сахаров А В, Бедарев Д А, Заварин Е Е, Мусихин Ю Г, Шмидт Н М, Цацульников А Ф, Усиков А С, Леденцов Н Н, Алферов Ж И "Гетероструктуры на основе нитридов третьей группы: технология, свойства, светоизлучающие приборы" УФН 171 857–858 (2001)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)

MedlineRefWorks

Русский

English

PT Journal Article
TI Гетероструктуры на основе нитридов третьей группы: технология, свойства, светоизлучающие приборы
AU Крестников И Л
FAU Крестников ИЛ
AU Лундин В В
FAU Лундин ВВ
AU Сахаров А В
FAU Сахаров АВ
AU Бедарев Д А
FAU Бедарев ДА
AU Заварин Е Е
FAU Заварин ЕЕ
AU Мусихин Ю Г
FAU Мусихин ЮГ
AU Шмидт Н М
FAU Шмидт НМ
AU Цацульников А Ф
FAU Цацульников АФ
AU Усиков А С
FAU Усиков АС
AU Леденцов Н Н
FAU Леденцов НН
AU Алферов Ж И
FAU Алферов ЖИ
DP 10 Aug, 2001
TA Усп. физ. наук
VI 171
IP 8
PG 857-858
RX 10.3367/UFNr.0171.200108e.0857
URL https://ufn.ru/ru/articles/2001/8/e/
SO Усп. физ. наук 2001 Aug 10;171(8):857-858

English citation: Krestnikov I L, Lundin V V, Sakharov A V, Bedarev D A, Zavarin E E, Musikhin Yu G, Shmidt N M, Tsatsul’nikov A F, Usikov A S, Ledentsov N N, Alferov Zh I “Heterostructures based on nitrides of group III elements: technical processes, properties, and light-emitting devices” Phys. Usp. 44 815–816 (2001); DOI: 10.1070/PU2001v044n08ABEH000968