Гетероструктуры на основе нитридов третьей группы: технология, свойства, светоизлучающие приборы

И.Л. Крестников^а, В.В. Лундин^а, А.В. Сахаров^а, Д.А. Бедарев^а, Е.Е. Заварин^а, Ю.Г. Мусихин^а, Н.М. Шмидт^а, А.Ф. Цацульников^а, А.С. Усиков^а, Н.Н. Леденцов^а, б, в, Ж.И. Алферов^а
^аФизико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Политехническая ул. 26, Санкт-Петербург, 194021, Российская Федерация
^бСанкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН, ул. Хлопина 8, корп. 3, Санкт-Петербург, 194021, Российская Федерация
^вVertically Integrated Systems (VI Systems GmbH), Hardenbergstr 7, Berlin, 10623, Germany

Текст pdf (129 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2001v044n08ABEH000968

PACS: 42.55.Px, 85.30.Vw
DOI: 10.3367/UFNr.0171.200108e.0857
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2001/8/e/
Цитата: Крестников И Л, Лундин В В, Сахаров А В, Бедарев Д А, Заварин Е Е, Мусихин Ю Г, Шмидт Н М, Цацульников А Ф, Усиков А С, Леденцов Н Н, Алферов Ж И "Гетероструктуры на основе нитридов третьей группы: технология, свойства, светоизлучающие приборы" УФН 171 857–858 (2001)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Krestnikov I L, Lundin V V, Sakharov A V, Bedarev D A, Zavarin E E, Musikhin Yu G, Shmidt N M, Tsatsul’nikov A F, Usikov A S, Ledentsov N N, Alferov Zh I “Heterostructures based on nitrides of group III elements: technical processes, properties, and light-emitting devices” Phys. Usp. 44 815–816 (2001); DOI: 10.1070/PU2001v044n08ABEH000968

Список литературы (11) ↓ Статьи, ссылающиеся на эту (1) Похожие статьи (20)

Ledentsov N N et al. Comp. Semicond. 5 (9) 61 (1999)
Lundin W V et al. Booklet 8th Europ. Work. Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy and Related Growth Techniques, June 8 - 11, 1999, Prague p. 46
Lundin W V et al. Booklet 8th Europ. Work. Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy and Related Growth Techniques, June 8 - 11, 1999, Prague p. 49
Sakharov A V et al. Phys. Status Solidi B 216 435 (1999)
Sakharov A V et al. Proc. Intern. Work. Nitride Semiconductors, September 24 - 27, 2000, Nagoya (IPAP Conf. Series) Vol. 1 (2000) p. 241
Sakharov A V et al. Phys. Status Solidi B 216 435 (1999)
Ledentsov N N et al. Appl. Phys. Lett. 69 1343 (1996)
Ledentsov N N et al. Semicond. Sci. Technol. 13 99 (1998)
Sakharov A V et al. Appl. Phys. Lett. 74 3921 (1999)
Krestnikov I L et al. Appl. Phys. Lett. 75 1192 (1999)
Tsatsul'nikov A F et al. Semicond. Sci. Technol. 15 766 (2000)