Изменения электропроводности неметаллических твердых тел, продолжающие свое существование в течение длительного времени после прекращения светового возбуждения, были обнаружены еще в XIX в. Такая долговременная релаксация проводимости (ДР) находила практические применения еще до того, как были установлены главные понятия современной физики твердого тела. В настоящее время для описания и анализа явления ДР используют две дополняющие друг друга модели. В первой из них основой служит представление о захвате неравновесных носителей заряда точечными центрами локализации (ловушками). Это приводит к замедлению процессов рекомбинации генерируемых светом или заряженными частицами электронов и дырок. Согласно второй модели, имеет место также пространственное разделение электронов и дырок, рекомбинации которых препятствуют потенциальные барьеры. Ниже обсуждаются оба типа процессов и приводятся экспериментальные данные, причем особое внимание обращено на пространственное разделение носителей.

PACS: 72.20.Jv, 72.40.+w, 72.80.Ey (все) DOI: 10.3367/UFNr.0169.199902e.0209 URL: https://ufn.ru/ru/articles/1999/2/e/ 000079341200004 Цитата: Вавилов В С, Эфимиу П К, Зардас Дж Е "Долговременная релаксация неравновесной фотопроводимости в полупроводниковых соединениях типа АIIIВV" УФН 169 209–212 (1999) BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS) MedlineRefWorks Русский English PT Journal Article TI Persistent photoconductivity in semiconducting III-V compounds AU Vavilov V S FAU Vavilov VS AU Euthymiou P C FAU Euthymiou PC AU Zardas G E FAU Zardas GE DP 10 Feb, 1999 TA Usp. Fiz. Nauk VI 169 IP 2 PG 209-212 RX 10.3367/UFNr.0169.199902e.0209 URL https://ufn.ru/ru/articles/1999/2/e/ SO Usp. Fiz. Nauk 1999 Feb 10;169(2):209-212 English citation: Vavilov V S, Euthymiou P C, Zardas G E “Persistent photoconductivity in semiconducting III-V compounds” Phys. Usp. 42 199–201 (1999); DOI: 10.1070/PU1999v042n02ABEH000589