Выпуски

 / 

1999

 / 

Февраль

  

Методические заметки


Долговременная релаксация неравновесной фотопроводимости в полупроводниковых соединениях типа АIIIВV

 а,  б,  б
а Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация
б Department of Physics, University of Athens, 104 Solonos str., Athens, 10680, Greece

Изменения электропроводности неметаллических твердых тел, продолжающие свое существование в течение длительного времени после прекращения светового возбуждения, были обнаружены еще в XIX в. Такая долговременная релаксация проводимости (ДР) находила практические применения еще до того, как были установлены главные понятия современной физики твердого тела. В настоящее время для описания и анализа явления ДР используют две дополняющие друг друга модели. В первой из них основой служит представление о захвате неравновесных носителей заряда точечными центрами локализации (ловушками). Это приводит к замедлению процессов рекомбинации генерируемых светом или заряженными частицами электронов и дырок. Согласно второй модели, имеет место также пространственное разделение электронов и дырок, рекомбинации которых препятствуют потенциальные барьеры. Ниже обсуждаются оба типа процессов и приводятся экспериментальные данные, причем особое внимание обращено на пространственное разделение носителей.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 72.20.Jv, 72.40.+w, 72.80.Ey (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0169.199902e.0209
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1999/2/e/
Цитата: Вавилов В С, Эфимиу П К, Зардас Дж Е "Долговременная релаксация неравновесной фотопроводимости в полупроводниковых соединениях типа АIIIВV" УФН 169 209–212 (1999)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Vavilov V S, Euthymiou P C, Zardas G E “Persistent photoconductivity in semiconducting III-V compoundsPhys. Usp. 42 199–201 (1999); DOI: 10.1070/PU1999v042n02ABEH000589

Список литературы (22) Статьи, ссылающиеся на эту (11) ↓ Похожие статьи (5)

  1. El-Naggar A M, Albassam A A et al Materials Science in Semiconductor Processing 86 101 (2018)
  2. Krymus A S, Myronchuk G L et al Materials Research Bulletin 85 74 (2017)
  3. Bozhko V V, Novosad A V et al Molecular Crystals and Liquid Crystals 627 153 (2016)
  4. Monaico E, Postolache V et al Semicond. Sci. Technol. 30 035014 (2015)
  5. Bozhko V V, Novosad A V et al Materials Science in Semiconductor Processing 39 665 (2015)
  6. Yeritsyan H, Grigoryan N et al JMP 05 51 (2014)
  7. Lehmann H, Benter T et al Semicond. Sci. Technol. 29 075010 (2014)
  8. Bachadyrchanov M K, Isamov S B et al Surf. Engin. Appl.Electrochem. 49 308 (2013)
  9. Mares J W, Boutwell R C et al Appl. Phys. Lett. 97 161113 (2010)
  10. Zardas G E, Yannakopoulos P H et al Microelectronics Journal 36 1 (2005)
  11. Shekhovtsov L V, Venger E F et al Tech. Phys. Lett. 26 190 (2000)

© Успехи физических наук, 1918–2020
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение