Выпуски

 / 

1999

 / 

Февраль

  

Методические заметки


Долговременная релаксация неравновесной фотопроводимости в полупроводниковых соединениях типа АIIIВV

 а,  б,  б
а Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация
б Department of Physics, University of Athens, 104 Solonos str., Athens, 10680, Greece

Изменения электропроводности неметаллических твердых тел, продолжающие свое существование в течение длительного времени после прекращения светового возбуждения, были обнаружены еще в XIX в. Такая долговременная релаксация проводимости (ДР) находила практические применения еще до того, как были установлены главные понятия современной физики твердого тела. В настоящее время для описания и анализа явления ДР используют две дополняющие друг друга модели. В первой из них основой служит представление о захвате неравновесных носителей заряда точечными центрами локализации (ловушками). Это приводит к замедлению процессов рекомбинации генерируемых светом или заряженными частицами электронов и дырок. Согласно второй модели, имеет место также пространственное разделение электронов и дырок, рекомбинации которых препятствуют потенциальные барьеры. Ниже обсуждаются оба типа процессов и приводятся экспериментальные данные, причем особое внимание обращено на пространственное разделение носителей.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 72.20.Jv, 72.40.+w, 72.80.Ey (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0169.199902e.0209
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1999/2/e/
Цитата: Вавилов В С, Эфимиу П К, Зардас Дж Е "Долговременная релаксация неравновесной фотопроводимости в полупроводниковых соединениях типа АIIIВV" УФН 169 209–212 (1999)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Vavilov V S, Euthymiou P C, Zardas G E “Persistent photoconductivity in semiconducting III-V compoundsPhys. Usp. 42 199–201 (1999); DOI: 10.1070/PU1999v042n02ABEH000589

Список литературы (22) ↓ Статьи, ссылающиеся на эту (11) Похожие статьи (5)

  1. Gudden B Lichtelektrische Erscheinungen (Berlin: Springer, 1928)
  2. Бьюб Р Фотопроводимость твердых тел (М.: ИЛ, 1962)
  3. Рывкин С М Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М.: Физматгиз, 1963)
  4. Шейнкман М К, Шик А Я ФТП 10 209 (1976)
  5. Khokhlov D R, Volkov B A Proc. 23rd Jut. Conf. Phys. Semicond., Berlin, July 1996 Vol. 4 (Ed. M Scheffler) (Singapore: World Scientific, 1996)
  6. Gossick B R J. Appl. Phys. 30 1214 (1959)
  7. Вавилов В С Действие излучений на полупроводники (М.: Физматгиз, 1963)
  8. Queisser H J, Theodorou D E Phys. Rev. Lett. 43 401 (1979)
  9. Queisser H J, Theodorou D E Phys. Rev. B 33 4027 (1986)
  10. Brailovskii E Yu, Grigoryan N E, Eritsyan G N Phys. Status Solidi A 62 649 (1980)
  11. Goldberd Yu A et al. Jut. Conf. Optics of Excitons in Condensed Matter, Abstracts (St. Petersburg: Russian Acad. Sci., 1997) p. 37
  12. Braun S, Grimmeiss H G Solid State Commun. 12 657 (1973)
  13. Lang D V, Logan R A, Jaros M Phys. Rev. B 19 1015 (1979)
  14. Zhao Y G et al. Semicond. Sci. Technol. 7 1359 (1992)
  15. Tsubaki K, Fukui T, Saito H J. Appl. Phys. 60 3224 (1986)
  16. Zardas G E et al. Solid State Commun. 105 77 (1998)
  17. Theodorou D E, Symeonidis C I Phys. Rev. B 37 10854 (1988)
  18. Вавилов В С УФН 167 407 (1997)
  19. Saparin G V et al. J. Luminescence 31-32 684 (1984)
  20. Вавилов В С, Кив А Е, Ниязова О Р Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках (М.: Наука, 1981)
  21. Petritz R L Phys. Rev. 104 1508 (1956)
  22. Ploog K, Dohler G Adv. Phys. 32 285 (1983)

© Успехи физических наук, 1918–2020
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение