Долговременная релаксация неравновесной фотопроводимости в полупроводниковых соединениях типа АIIIВV

В.С. Вавилов^а, П.К. Эфимиу^б, Дж.Е. Зардас^б
^аФизический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация
^бDepartment of Physics, University of Athens, 104 Solonos str., Athens, 10680, Greece

Изменения электропроводности неметаллических твердых тел, продолжающие свое существование в течение длительного времени после прекращения светового возбуждения, были обнаружены еще в XIX в. Такая долговременная релаксация проводимости (ДР) находила практические применения еще до того, как были установлены главные понятия современной физики твердого тела. В настоящее время для описания и анализа явления ДР используют две дополняющие друг друга модели. В первой из них основой служит представление о захвате неравновесных носителей заряда точечными центрами локализации (ловушками). Это приводит к замедлению процессов рекомбинации генерируемых светом или заряженными частицами электронов и дырок. Согласно второй модели, имеет место также пространственное разделение электронов и дырок, рекомбинации которых препятствуют потенциальные барьеры. Ниже обсуждаются оба типа процессов и приводятся экспериментальные данные, причем особое внимание обращено на пространственное разделение носителей.

Текст pdf (492 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1999v042n02ABEH000589

PACS: 72.20.Jv, 72.40.+w, 72.80.Ey (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0169.199902e.0209
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1999/2/e/
Web of Science

000079341200004
Цитата: Вавилов В С, Эфимиу П К, Зардас Дж Е "Долговременная релаксация неравновесной фотопроводимости в полупроводниковых соединениях типа А^IIIВ^V" УФН 169 209–212 (1999)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Русский

English

@article{Vavilov:1999,
	author = {V. S. Vavilov and P. C. Euthymiou and G. E. Zardas},
	title = {Persistent photoconductivity in semiconducting III-V compounds},
	publisher = {Uspekhi Fizicheskikh Nauk},
	year = {1999},
	journal = {Usp. Fiz. Nauk},
	volume = {169},
	number = {2},
	pages = {209-212},
	url = {https://ufn.ru/ru/articles/1999/2/e/},
	doi = {10.3367/UFNr.0169.199902e.0209}
}

English citation: Vavilov V S, Euthymiou P C, Zardas G E “Persistent photoconductivity in semiconducting III-V compounds” Phys. Usp. 42 199–201 (1999); DOI: 10.1070/PU1999v042n02ABEH000589