Экситонные комплексы в InGaAs/GaAs квантовых точках
В.Д. Кулаковскийа,
М. Бауэрб,
М. Михельб,
А. Форхелб,
Т. Гутбродб,
Ф. Фаллерб аИнститут физики твердого тела РАН, ул. Академика Осипьяна 2, Черноголовка, Московская обл., 142432, Российская Федерация бTechnische Physik, Universität Würzburg, Würzburg, Germany
Доклад на конференции «Мезоскопические и сильнокоррелированные электронные системы», Черноголовка — 97
PACS: 73.20.Dx, 71.35.+z, 73.90.+f DOI:10.3367/UFNr.0168.199802d.0123 URL: https://ufn.ru/ru/articles/1998/2/d/ Цитата: Кулаковский В Д, Бауэр М, Михель М, Форхел А, Гутброд Т, Фаллер Ф "Экситонные комплексы в InGaAs/GaAs квантовых точках" УФН168 123–127 (1998)