Экситонные комплексы в InGaAs/GaAs квантовых точках

В.Д. Кулаковский^а, М. Бауэр^б, М. Михель^б, А. Форхел^б, Т. Гутброд^б, Ф. Фаллер^б
^аИнститут физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна РАН, ул. Академика Осипьяна 2, Черноголовка, Московская обл., 142432, Российская Федерация
^бTechnische Physik, Universität Würzburg, Würzburg, Germany

Доклад на конференции «Мезоскопические и сильнокоррелированные электронные системы», Черноголовка — 97

Текст pdf (499 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1998v041n02ABEH000340

PACS: 73.20.Dx, 71.35.+z, 73.90.+f
DOI: 10.3367/UFNr.0168.199802d.0123
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1998/2/d/
Web of Science

000072729300004
Цитата: Кулаковский В Д, Бауэр М, Михель М, Форхел А, Гутброд Т, Фаллер Ф "Экситонные комплексы в InGaAs/GaAs квантовых точках" УФН 168 123–127 (1998)

BibTexBibNote ® (generic)

BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Русский

English

TY JOUR
TI Экситонные комплексы в InGaAs/GaAs квантовых точках
AU Кулаковский, В. Д.
AU Бауэр, М.
AU Михель, М.
AU Форхел, А.
AU Гутброд, Т.
AU Фаллер, Ф.
PB Успехи физических наук
PY 1998
JO Успехи физических наук
JF Успехи физических наук
JA Усп. физ. наук
VL 168
IS 2
SP 123-127
UR https://ufn.ru/ru/articles/1998/2/d/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0168.199802d.0123

English citation: Kulakovskii V D, Bayer M, Michel M, Forchel A, Gutbrod T, Faller F “Excitonic molecules in InGaAs/GaAs quantum dots” Phys. Usp. 41 115–118 (1998); DOI: 10.1070/PU1998v041n02ABEH000340