Выпуски

 / 

1998

 / 

Февраль

  

Конференции и симпозиумы


Экситонные комплексы в InGaAs/GaAs квантовых точках

 а,  б,  б,  б,  б,  б
а Институт физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна РАН, ул. Академика Осипьяна 2, Черноголовка, Московская обл., 142432, Российская Федерация
б Technische Physik, Universität Würzburg, Würzburg, Germany

Доклад на конференции «Мезоскопические и сильнокоррелированные электронные системы», Черноголовка — 97

Текст pdf (499 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1998v041n02ABEH000340
PACS: 73.20.Dx, 71.35.+z, 73.90.+f
DOI: 10.3367/UFNr.0168.199802d.0123
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1998/2/d/
000072729300004
Цитата: Кулаковский В Д, Бауэр М, Михель М, Форхел А, Гутброд Т, Фаллер Ф "Экситонные комплексы в InGaAs/GaAs квантовых точках" УФН 168 123–127 (1998)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Kulakovskii V D, Bayer M, Michel M, Forchel A, Gutbrod T, Faller F “Excitonic molecules in InGaAs/GaAs quantum dotsPhys. Usp. 41 115–118 (1998); DOI: 10.1070/PU1998v041n02ABEH000340

Список литературы (15) Статьи, ссылающиеся на эту (1) ↓ Похожие статьи (20)

  1. Styers-Barnett D J, Ellison S P et al J. Phys. Chem. C 112 4507 (2008)

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение