Экситонные комплексы в InGaAs/GaAs квантовых точках

В.Д. Кулаковский^а, М. Бауэр^б, М. Михель^б, А. Форхел^б, Т. Гутброд^б, Ф. Фаллер^б
^аИнститут физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна РАН, ул. Академика Осипьяна 2, Черноголовка, Московская обл., 142432, Российская Федерация
^бTechnische Physik, Universität Würzburg, Würzburg, Germany

Доклад на конференции «Мезоскопические и сильнокоррелированные электронные системы», Черноголовка — 97

Текст pdf (499 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1998v041n02ABEH000340

PACS: 73.20.Dx, 71.35.+z, 73.90.+f
DOI: 10.3367/UFNr.0168.199802d.0123
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1998/2/d/
Web of Science

000072729300004
Цитата: Кулаковский В Д, Бауэр М, Михель М, Форхел А, Гутброд Т, Фаллер Ф "Экситонные комплексы в InGaAs/GaAs квантовых точках" УФН 168 123–127 (1998)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Kulakovskii V D, Bayer M, Michel M, Forchel A, Gutbrod T, Faller F “Excitonic molecules in InGaAs/GaAs quantum dots” Phys. Usp. 41 115–118 (1998); DOI: 10.1070/PU1998v041n02ABEH000340