Выпуски

 / 

1998

 / 

Февраль

  

Конференции и симпозиумы


Экситонные комплексы в InGaAs/GaAs квантовых точках

 а,  б,  б,  б,  б,  б
а Институт физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна РАН, ул. Академика Осипьяна 2, Черноголовка, Московская обл., 142432, Российская Федерация
б Technische Physik, Universität Würzburg, Würzburg, Germany

Доклад на конференции «Мезоскопические и сильнокоррелированные электронные системы», Черноголовка — 97

Текст pdf (499 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1998v041n02ABEH000340
PACS: 73.20.Dx, 71.35.+z, 73.90.+f
DOI: 10.3367/UFNr.0168.199802d.0123
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1998/2/d/
000072729300004
Цитата: Кулаковский В Д, Бауэр М, Михель М, Форхел А, Гутброд Т, Фаллер Ф "Экситонные комплексы в InGaAs/GaAs квантовых точках" УФН 168 123–127 (1998)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline RefWorks
Русский English
RT Journal
T1 Экситонные комплексы в InGaAs/GaAs квантовых точках
A1 Кулаковский,В.Д.
A1 Бауэр,М.
A1 Михель,М.
A1 Форхел,А.
A1 Гутброд,Т.
A1 Фаллер,Ф.
PB Успехи физических наук
PY 1998
FD 10 Feb, 1998
JF Успехи физических наук
JO Усп. физ. наук
VO 168
IS 2
SP 123-127
DO 10.3367/UFNr.0168.199802d.0123
LK https://ufn.ru/ru/articles/1998/2/d/

English citation: Kulakovskii V D, Bayer M, Michel M, Forchel A, Gutbrod T, Faller F “Excitonic molecules in InGaAs/GaAs quantum dotsPhys. Usp. 41 115–118 (1998); DOI: 10.1070/PU1998v041n02ABEH000340

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение