Выпуски

 / 

1998

 / 

Февраль

  

Конференции и симпозиумы


Молекулярный одноэлектронный транзистор, работающий при комнатной температуре

 а,  а,  а,  б,  в,  г,  а,  а,  д
а Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Ленинские горы 1 стр. 2, Москва, 119991, Российская Федерация
б Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН, Ленинский просп. 31, Москва, 119991, Российская Федерация
в Институт радиотехники и электроники РАН, ул. Моховая 11, корп. 7, Москва, 125009, Российская Федерация
г Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация
д Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Научно-исследовательский институт ядерной физики имени Д.В. Скобельцына, Ленинские горы 1 стр. 2, Москва, 119991, Российская Федерация

Доклад на конференции «Мезоскопические и сильнокоррелированные электронные системы», Черноголовка — 97

Текст pdf (487 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1998v041n02ABEH000364
PACS: 73.40.−c, 74.80.Fp
DOI: 10.3367/UFNr.0168.199802ab.0217
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1998/2/ab/
000072729300027
Цитата: Солдатов Е С, Ханин В В, Трифонов А С, Губин С П, Колесов В В, Преснов Д Е, Яковенко С А, Хомутов Г Б, Коротков А Н "Молекулярный одноэлектронный транзистор, работающий при комнатной температуре" УФН 168 217–219 (1998)
BibTex BibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
%0 Journal Article
%T Room temperature molecular single-electron transistor
%A E. S. Soldatov
%A V. V. Khanin
%A A. S. Trifonov
%A S. P. Gubin
%A V. V. Kolesov
%A D. E. Presnov
%A S. A. Yakovenko
%A G. V. Khomutov
%A A. N. Korotkov
%I Uspekhi Fizicheskikh Nauk
%D 1998
%J Usp. Fiz. Nauk
%V 168
%N 2
%P 217-219
%U https://ufn.ru/ru/articles/1998/2/ab/
%U https://doi.org/10.3367/UFNr.0168.199802ab.0217

English citation: Soldatov E S, Khanin V V, Trifonov A S, Gubin S P, Kolesov V V, Presnov D E, Yakovenko S A, Khomutov G V, Korotkov A N “Room temperature molecular single-electron transistorPhys. Usp. 41 202–204 (1998); DOI: 10.1070/PU1998v041n02ABEH000364

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение