Выпуски

 / 

1998

 / 

Февраль

  

Конференции и симпозиумы


Молекулярный одноэлектронный транзистор, работающий при комнатной температуре

 а,  а,  а,  б,  в,  г,  а,  а,  д
а Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Ленинские горы 1 стр. 2, Москва, 119991, Российская Федерация
б Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН, Ленинский просп. 31, Москва, 119991, Российская Федерация
в Институт радиотехники и электроники РАН, ул. Моховая 11, корп. 7, Москва, 125009, Российская Федерация
г Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация
д Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Научно-исследовательский институт ядерной физики имени Д.В. Скобельцына, Ленинские горы 1 стр. 2, Москва, 119991, Российская Федерация

Доклад на конференции «Мезоскопические и сильнокоррелированные электронные системы», Черноголовка — 97

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 73.40.−c, 74.80.Fp
DOI: 10.3367/UFNr.0168.199802ab.0217
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1998/2/ab/
Цитата: Солдатов Е С, Ханин В В, Трифонов А С, Губин С П, Колесов В В, Преснов Д Е, Яковенко С А, Хомутов Г Б, Коротков А Н "Молекулярный одноэлектронный транзистор, работающий при комнатной температуре" УФН 168 217–219 (1998)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline RefWorks
Русский English
RT Journal
T1 Молекулярный одноэлектронный транзистор, работающий при комнатной температуре
A1 Солдатов,Е.С.
A1 Ханин,В.В.
A1 Трифонов,А.С.
A1 Губин,С.П.
A1 Колесов,В.В.
A1 Преснов,Д.Е.
A1 Яковенко,С.А.
A1 Хомутов,Г.Б.
A1 Коротков,А.Н.
PB Успехи физических наук
PY 1998
FD 10 Feb, 1998
JF Успехи физических наук
JO Усп. физ. наук
VO 168
IS 2
SP 217-219
DO 10.3367/UFNr.0168.199802ab.0217
LK https://ufn.ru/ru/articles/1998/2/ab/

English citation: Soldatov E S, Khanin V V, Trifonov A S, Gubin S P, Kolesov V V, Presnov D E, Yakovenko S A, Khomutov G V, Korotkov A N “Room temperature molecular single-electron transistorPhys. Usp. 41 202–204 (1998); DOI: 10.1070/PU1998v041n02ABEH000364

© Успехи физических наук, 1918–2022
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение