RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 12, 2024
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

1998

 / 

Февраль

←  →

Конференции и симпозиумы


Молекулярный одноэлектронный транзистор, работающий при комнатной температуре

 а,  а,  а,  б,  в,  г,  а,  а,  д
а Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Ленинские горы 1 стр. 2, Москва, 119991, Российская Федерация
б Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН, Ленинский просп. 31, Москва, 119991, Российская Федерация
в Институт радиотехники и электроники РАН, ул. Моховая 11, корп. 7, Москва, 125009, Российская Федерация
г Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация
д Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Научно-исследовательский институт ядерной физики имени Д.В. Скобельцына, Ленинские горы 1 стр. 2, Москва, 119991, Российская Федерация

Доклад на конференции «Мезоскопические и сильнокоррелированные электронные системы», Черноголовка — 97

Текст pdf (487 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1998v041n02ABEH000364
PACS: 73.40.−c, 74.80.Fp
DOI: 10.3367/UFNr.0168.199802ab.0217
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1998/2/ab/
000072729300027
Цитата: Солдатов Е С, Ханин В В, Трифонов А С, Губин С П, Колесов В В, Преснов Д Е, Яковенко С А, Хомутов Г Б, Коротков А Н "Молекулярный одноэлектронный транзистор, работающий при комнатной температуре" УФН 168 217–219 (1998)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Soldatov E S, Khanin V V, Trifonov A S, Gubin S P, Kolesov V V, Presnov D E, Yakovenko S A, Khomutov G V, Korotkov A N “Room temperature molecular single-electron transistor” Phys. Usp. 41 202–204 (1998); DOI: 10.1070/PU1998v041n02ABEH000364

Список литературы (18) Статьи, ссылающиеся на эту (23) ↓ Похожие статьи (20)

  1. Sergeyev D M Tech. Phys. 65 573 (2020)
  2. Presnov D E, Kafanov S G et al Jetp Lett. 108 492 (2018)
  3. (International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2014) Vol. International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2014High-temperature single-electron transistor based on a gold nanoparticleAlexander A.OrlikovskyS. A.DagesyanA. S.StepanovE. S.SoldatovG.Zharik9440 (2014) p. 94400P
  4. Wei W, Han J, Lombardi F Microelectronics Journal 45 394 (2014)
  5. Wei W, Han J, Lombardi F IEEE Trans. Nanotechnology 12 57 (2013)
  6. Lombardi F, Wei W, Han J Proceedings of the great lakes symposium on VLSI, (2012) p. 221
  7. Wei W, Jie H, Lombardi F 2011 IEEE/ACM International Symposium on Nanoscale Architectures, (2011) p. 16
  8. Babich A V, Pogosov V V Surface Science 604 210 (2010)
  9. Wheeler W D, Dahnovsky Yu J. Phys. Chem. C 113 1088 (2009)
  10. Saripalli V, Narayanan V, Datta S Lecture Notes of the Institute for Computer Sciences, Social Informatics and Telecommunications Engineering Vol. Nano-NetUltra Low Energy Binary Decision Diagram Circuits Using Few Electron Transistors20 Chapter 27 (2009) p. 200
  11. Wheeler W D, Dahnovsky Yu 129 (15) (2008)
  12. Pogosov V V, Vasyutin E V, Babich A V Tech. Phys. Lett. 33 719 (2007)
  13. Pogosov V V, Vasyutin E V Russ Microelectron 36 104 (2007)
  14. Pogosov V V, Vasyutin E V et al Phys. Solid State 48 1965 (2006)
  15. Zhang F, Tang R, Kim Y-B Microelectronics Journal 36 741 (2005)
  16. Suganuma Y, Trudeau P -E et al 118 9769 (2003)
  17. Soldatov E S, Gubin S P et al Microelectronic Engineering 69 536 (2003)
  18. Suganuma Y, Trudeau P -E, Dhirani A -A Phys. Rev. B 66 (24) (2002)
  19. Klymenko Yu A, Cheremnykh О К et al Kosm. nauka tehnol. 7 53 (2001)
  20. Grigor’ev S L Tech. Phys. 46 1457 (2001)
  21. Dykhne A M, Zosimov V V, Rudavets A G Dokl. Phys. 45 11 (2000)
  22. Likharev K K Proc. IEEE 87 606 (1999)
  23. Vasilevskaya T N, Andreev N S et al Phys. Solid State 41 1918 (1999)
© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение