RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 11, 2024
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

1997

 / 

Январь

←  →

Обзоры актуальных проблем


Алмаз в твердотельной электронике


Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

В сжатой форме приведены данные о физических свойствах алмаза как материала твердотельной электроники. Основное внимание обращено на кристаллы синтетического алмаза и на алмазные пленки, осаждаемые из газовой плазмы.

Текст pdf (240 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1997v040n01ABEH000199
PACS: 07.50.Yd, 73.90.+f
DOI: 10.3367/UFNr.0167.199701b.0017
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1997/1/b/
A1997WJ28400002
Цитата: Вавилов В С "Алмаз в твердотельной электронике" УФН 167 17–22 (1997)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Vavilov V S “Diamond in solid state electronics” Phys. Usp. 40 15–20 (1997); DOI: 10.1070/PU1997v040n01ABEH000199

Список литературы (35) ↓ Статьи, ссылающиеся на эту (17) Похожие статьи (20)

  1. Newton Isaak Optics (London, 1704)
  2. Custers J F H Physica 18 489 (1952); Custers J F H Physica 20 183 (1954)
  3. Field J (Ed.) The Properties of Diamond (London: Academic Press, 1979)
  4. Vavilov V S, Gippius A A, Konorova E A Elektronnye i Opticheskie Protsessy v Almaze Electronic and Optical Processes in Diamond) (Moscow: Nauka, 1985) p. 120
  5. Field J (Ed.) The Properties of Natural and Synthetic Diamond (London, New York: Academic Press, 1992)
  6. Davis G (Ed.) The Properties and Growth of Diamond (London: JEE, 1994)
  7. Spitsyn B V, Deryagin B V Avtorskoe Svidetel'stvo SSSR (USSR Inventor's Certificate) July 10, 1956); Spitsyn B V, Deryagin B V Patent SSSR No 339 134 (USSR Patent No. 339 134), May 5, 1980)
  8. Second Int. Symposium on Diamond Films, 3-5 May 1994 and NATO Advanced Workshop on Wide Bandgap Electronic Materials (Diamond, Aluminum Nitride, Boron Nitride), 4-6 May 1994, Abstracts (Minsk: Belorussian State University, 1994)
  9. Collins A The Properties and Growth of Diamond (Ed. G Davis) (London: JEE, 1994) p. 261
  10. Kvaskov V B (Ed.) Almaz v Élektronno&ibreve; Tekhnike (Diamond in Electronics) (Moscow: Energoatomizdat, 1990) p. 245
  11. Saparin G V Cathodoluminescence: New Methods in Scanning Electron Microscopy Biophysical Electron Microscopy (New York: Acad. Press, 1994) p. 451
  12. Kozlov S F The Properties and Growth of Diamond (Ed. G Davis) (London: JEE, 1994) p. 34
  13. Za&ibreve;tsev A M et al The Properties and Growth of Diamond (Ed. G Davis) (London: JEE, 1994) p. 228
  14. Mil'vidski&ibreve; M G, Osvenski&ibreve; V B Strukturnye Defekty v Monokristallakh Poluprovodnikov (Structural Defects in Semiconductor Single Crystals) (Moscow: Metallurgiya, 1984) p. 231
  15. Alekseenko A E et al Dokl. Akad. Nauk SSSR 233 ((2)) 334 (1977)
  16. Fujimori N et al Vacuum 36 99 (1986)
  17. Hiraki A Diamond Depositions 2 ((1)) 5 (1991)
  18. Rotner Yu M, Rotner S M Almaz v Élektronno&ibreve; Tekhnike (Diamond in Electronics, Ed. V B Kvaskov) (Moscow: Energoatomizdat, 1990) p. 186
  19. Davies G Mater. Sci. Forum 143-147 21 (1994)
  20. Vavilov V S Usp. Fiz. Nauk 164 ((3)) 287 (1994); Vavilov V S Phys. Usp. 37 269 (1994)
  21. Vavilov V S Usp. Fiz. Nauk 164 ((4)) 429 (1994); Vavilov V S Phys. Usp. 37 407 (1994)
  22. Prins J F Mat. Sci. Reports 7 ((7-8)) 271 (1992)
  23. Vavilov V S et al Fiz. Tekh. Poluprovodn. 4 1 (1970)
  24. Konorova E A et al Cryst. Lattice Defects 1 269 (1970)
  25. Vavilov V S et al Fiz. Tekn. Poluprovodn. 13 2135 (1979)
  26. Kajihara S A et al Phys. Rev. Lett. 66 ((15)) 2010 (1991)
  27. Collins A, Lightowlers E The Properties of Diamond (Ed. J Field) (London: Acad. Press, 1979), Ch. 3
  28. Novikov N V, Gontar' A G Almaz v Élektronno&ibreve; Tekhnike (Diamond in Electronics, Ed. V B Kvaskov) (Moscow: Energoatomizdat, 1990) p. 57
  29. Spitsyn B V et al J. Crystal Growth (Netherlands) 52 219 (1981); The Properties and Growth of Diamond (Ed. G Davis) (London: JEE, 1994) p. 323
  30. Okano K et al Appl. Phys. A (Japan) 51 344 (1990)
  31. Brodie I, Muray J The Physics of Microfabrication (New York: Plenum, 1982); Translated into Russian, Brodie I, Muray J The Physics of Microfabrication (Moscow: Mir, 1985)
  32. Vavilov V S et al Radiatsionnye Metody v Tverdotel'no&ibreve; Elektronike (Radiation Techniques in Solid-State Electronics) (Moscow: Radio i Svyaz', 1990) p. 183
  33. Ne&ibreve;sha V I, Klyuev Yu A Almaz v Élektronno&ibreve; Tekhnike (Diamond in Electronics, Ed. V B Kvaskov) (Moscow: Energoatomizdat, 1990) p. 140
  34. Kontsevo&ibreve; Yu A Tezisy Dokladov Konferentsii Perspektivy Primeneniya Almazov v Elektronike (Abstracts of the Conference on Applications of Diamonds in Electronics) (Moscow: Russia-Sakha Diamonds Company Press, 1995) p. 3
  35. Zhao G et al Appl. Phys. Lett. 61 1119 (1992)
© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение