Выпуски

 / 

1997

 / 

Январь

  

Обзоры актуальных проблем


Алмаз в твердотельной электронике


Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

В сжатой форме приведены данные о физических свойствах алмаза как материала твердотельной электроники. Основное внимание обращено на кристаллы синтетического алмаза и на алмазные пленки, осаждаемые из газовой плазмы.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
English fulltext is available at IOP
PACS: 07.50.Yd, 73.90.+f
DOI: 10.3367/UFNr.0167.199701b.0017
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1997/1/b/
Цитата: Вавилов В С "Алмаз в твердотельной электронике" УФН 167 17–22 (1997)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS) MedlineRefWorks
Русский English
PT Journal Article
TI Алмаз в твердотельной электронике
AU Вавилов В С
FAU Вавилов ВС
DP 10 Jan, 1997
TA Усп. физ. наук
VI 167
IP 1
PG 17-22
RX 10.3367/UFNr.0167.199701b.0017
URL https://ufn.ru/ru/articles/1997/1/b/
SO Усп. физ. наук 1997 Jan 10;167(1):17-22

English citation: Vavilov V S “Diamond in solid state electronicsPhys. Usp. 40 15–20 (1997); DOI: 10.1070/PU1997v040n01ABEH000199

© Успехи физических наук, 1918–2020
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение