Выпуски

 / 

1997

 / 

Январь

  

Обзоры актуальных проблем


Алмаз в твердотельной электронике


Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

В сжатой форме приведены данные о физических свойствах алмаза как материала твердотельной электроники. Основное внимание обращено на кристаллы синтетического алмаза и на алмазные пленки, осаждаемые из газовой плазмы.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
English fulltext is available at IOP
PACS: 07.50.Yd, 73.90.+f
DOI: 10.3367/UFNr.0167.199701b.0017
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1997/1/b/
Цитата: Вавилов В С "Алмаз в твердотельной электронике" УФН 167 17–22 (1997)
BibTex BibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
%0 Journal Article
%T Алмаз в твердотельной электронике
%A В. С. Вавилов
%I Успехи физических наук
%D 1997
%J Усп. физ. наук
%V 167
%N 1
%P 17-22
%U https://ufn.ru/ru/articles/1997/1/b/
%U https://doi.org/10.3367/UFNr.0167.199701b.0017

English citation: Vavilov V S “Diamond in solid state electronicsPhys. Usp. 40 15–20 (1997); DOI: 10.1070/PU1997v040n01ABEH000199

© Успехи физических наук, 1918–2020
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение