Одноэлектронные структуры на основе сверхмалых туннельных переходов Al/AlO<sub><i>x</i></sub>/Al: технология изготовления, экспериментальные результаты

Д.Е. Преснов^а, В.А. Крупенин^б, С.В. Лотхов^б
^аФизический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация
^бМосковский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Ленинские горы 1 стр. 2, Москва, 119991, Российская Федерация

Текст pdf (294 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1996v039n08ABEH001547

PACS: 71.27.+a, 73.40.Rw (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0166.199608v.0906
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1996/8/v/
Цитата: Преснов Д Е, Крупенин В А, Лотхов С В "Одноэлектронные структуры на основе сверхмалых туннельных переходов Al/AlO_x/Al: технология изготовления, экспериментальные результаты" УФН 166 906–907 (1996)

BibTexBibNote ® (generic)

BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Русский

English

TY JOUR
TI Single-electron structures of supersmall Al/AlO_x/Al tunnelling junctions: manufacturing techniques and experimental results
AU Presnov, D. E.
AU Krupenin, V. A.
AU Lotkhov, S. V.
PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk
PY 1996
JO Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JA Usp. Fiz. Nauk
VL 166
IS 8
SP 906-907
UR https://ufn.ru/ru/articles/1996/8/v/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0166.199608v.0906

English citation: Presnov D E, Krupenin V A, Lotkhov S V “Single-electron structures of supersmall Al/AlO_x/Al tunnelling junctions: manufacturing techniques and experimental results” Phys. Usp. 39 847–848 (1996); DOI: 10.1070/PU1996v039n08ABEH001547

Выпуски

/

1996

/

Август

← →

Одноэлектронные структуры на основе сверхмалых туннельных переходов Al/AlOx/Al: технология изготовления, экспериментальные результаты

Одноэлектронные структуры на основе сверхмалых туннельных переходов Al/AlO_x/Al: технология изготовления, экспериментальные результаты