Выпуски

 / 

1996

 / 

Август

  

Конференции и симпозиумы


Одноэлектронные структуры на основе сверхмалых туннельных переходов Al/AlOx/Al: технология изготовления, экспериментальные результаты

 а,  б,  б
а Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация
б Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Ленинские горы 1 стр. 2, Москва, 119991, Российская Федерация
Текст pdf (294 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1996v039n08ABEH001547
PACS: 71.27.+a, 73.40.Rw (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0166.199608v.0906
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1996/8/v/
Цитата: Преснов Д Е, Крупенин В А, Лотхов С В "Одноэлектронные структуры на основе сверхмалых туннельных переходов Al/AlOx/Al: технология изготовления, экспериментальные результаты" УФН 166 906–907 (1996)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Presnov D E, Krupenin V A, Lotkhov S V “Single-electron structures of supersmall Al/AlOx/Al tunnelling junctions: manufacturing techniques and experimental resultsPhys. Usp. 39 847–848 (1996); DOI: 10.1070/PU1996v039n08ABEH001547

Список литературы (5) Похожие статьи (20) ↓

  1. В.А. Крупенин, С.В. Лотхов и др. «Экспериментальное исследование зарядовых эффектов в сверхмалых туннельных переходах» 167 566–568 (1997)
  2. Д. Бимберг, И.П. Ипатова и др. «Научная сессия Отделения общей физики и астрономии Российской академии наук (29 января 1997 г.)» 167 552 (1997)
  3. В.А. Крупенин, С.В. Лотхов и др. «Зондирование динамических зарядовых состояний с помощью одноэлектронных туннельных транзисторов» 168 219–222 (1998)
  4. Е.С. Солдатов, А.С. Трифонов и др. «Кластерные туннельные структуры и коррелированное туннелирование электронов в них» 166 903–903 (1996)
  5. И.В. Кукушкин, В.Б. Тимофеев «Магнитооптика сильно скоррелированных низкоразмерных электронных систем» 163 (1) 105–108 (1993)
  6. Л.С. Левитов, А.В. Шитов «Кулоновская аномалия при туннелировании в плохой проводник» 166 906–906 (1996)
  7. Ю.В. Дубровский, В.Г. Попов и др. «Резонансы при туннелировании в гетероструктурах с одиночным барьером» 166 900–900 (1996)
  8. В.А. Кашурников, А.И. Подливаев и др. «Сверхтоковые состояния в одномерных кольцах конечного размера» 166 905–905 (1996)
  9. С.И. Дорожкин «Магнетотранспортные и магнетоемкостные исследования двумерных электронных систем в сильных магнитных полях: целочисленный и дробный квантовые эффекты Холла, диэлектрическое состояние» 166 904–905 (1996)
  10. В.Е. Кравцов «Мультифрактальность волновых функций и статистика уровней энергии вблизи перехода Андерсона» 166 900–901 (1996)
  11. В.Д. Кулаковский «Корреляционные эффекты в электронно-дырочной магнитоплазме в квантовых ямах» 166 900–900 (1996)
  12. Е.С. Солдатов, В.В. Ханин и др. «Молекулярный одноэлектронный транзистор, работающий при комнатной температуре» 168 217–219 (1998)
  13. В.Ф. Гантмахер, М.В. Фейгельман «Мезоскопические и сильнокоррелированные электронные системы «Черноголовка — 97». Встречи в мезоскопической области» 168 113–116 (1998)
  14. В.А. Гавричков, Е.В. Кузьмин, С.Г. Овчинников «Электронная структура и симметрия параметра порядка высокотемпературных сверхпроводников» 170 189–192 (2000)
  15. М.В. Фейгельман, В.В. Рязанов, В.Б. Тимофеев «Мезоскопические и сильнокоррелированные электронные системы "Черноголовка-2000′. Квантовая мезоскопика: современное состояние» 171 1099–1115 (2001)
  16. А.В. Ведяев «Использование поляризованного по спину тока в спинтронике» 172 1458–1461 (2002)
  17. С.В. Демишев, В.Н. Рыжов, С.М. Стишов «Сильно коррелированные электронные системы и квантовые критические явления (11 апреля 2003 г., г. Троицк, Московская обл.)» 174 449–456 (2004)
  18. П.И. Арсеев, С.В. Демишев и др. «Сильно коррелированные электронные системы и квантовые критические явления» 175 1125–1139 (2005)
  19. В.М. Пудалов «Переход металл-изолятор в двумерной сильнокоррелированной системе электронов и сопутствующие явления» 176 213 (2006)
  20. Е.Б. Ольшанецкий, В. Ренар и др. «Эффекты взаимодействия в транспорте и магнитотранспорте двумерных электронов в гетеропереходах AlGaAs/GaAs и Si/SiGe» 176 222–227 (2006)

Список формируется автоматически.

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение