Выпуски

 / 

1996

 / 

Август

  

Конференции и симпозиумы


Одноэлектронные структуры на основе сверхмалых туннельных переходов Al/AlOx/Al: технология изготовления, экспериментальные результаты

 а,  б,  б
а Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация
б Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Ленинские горы 1 стр. 2, Москва, 119991, Российская Федерация
Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 71.27.+a, 73.40.Rw (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0166.199608v.0906
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1996/8/v/
Цитата: Преснов Д Е, Крупенин В А, Лотхов С В "Одноэлектронные структуры на основе сверхмалых туннельных переходов Al/AlOx/Al: технология изготовления, экспериментальные результаты" УФН 166 906–907 (1996)
BibTex BibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
%0 Journal Article
%T Одноэлектронные структуры на основе сверхмалых туннельных переходов Al/AlOx/Al: технология изготовления, экспериментальные результаты
%A Д. Е. Преснов
%A В. А. Крупенин
%A С. В. Лотхов
%I Успехи физических наук
%D 1996
%J Усп. физ. наук
%V 166
%N 8
%P 906-907
%U https://ufn.ru/ru/articles/1996/8/v/
%U https://doi.org/10.3367/UFNr.0166.199608v.0906

English citation: Presnov D E, Krupenin V A, Lotkhov S V “Single-electron structures of supersmall Al/AlOx/Al tunnelling junctions: manufacturing techniques and experimental resultsPhys. Usp. 39 847–848 (1996); DOI: 10.1070/PU1996v039n08ABEH001547

© Успехи физических наук, 1918–2020
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение