Выпуски

 / 

1996

 / 

Август

  

Конференции и симпозиумы


Одноэлектронные структуры на основе сверхмалых туннельных переходов Al/AlOx/Al: технология изготовления, экспериментальные результаты

 а,  б,  б
а Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация
б Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Ленинские горы 1 стр. 2, Москва, 119991, Российская Федерация
Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 71.27.+a, 73.40.Rw (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0166.199608v.0906
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1996/8/v/
Цитата: Преснов Д Е, Крупенин В А, Лотхов С В "Одноэлектронные структуры на основе сверхмалых туннельных переходов Al/AlOx/Al: технология изготовления, экспериментальные результаты" УФН 166 906–907 (1996)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline RefWorks
Русский English
RT Journal
T1 Одноэлектронные структуры на основе сверхмалых туннельных переходов Al/AlOx/Al: технология изготовления, экспериментальные результаты
A1 Преснов,Д.Е.
A1 Крупенин,В.А.
A1 Лотхов,С.В.
PB Успехи физических наук
PY 1996
FD 10 Aug, 1996
JF Успехи физических наук
JO Усп. физ. наук
VO 166
IS 8
SP 906-907
DO 10.3367/UFNr.0166.199608v.0906
LK https://ufn.ru/ru/articles/1996/8/v/

English citation: Presnov D E, Krupenin V A, Lotkhov S V “Single-electron structures of supersmall Al/AlOx/Al tunnelling junctions: manufacturing techniques and experimental resultsPhys. Usp. 39 847–848 (1996); DOI: 10.1070/PU1996v039n08ABEH001547

© Успехи физических наук, 1918–2020
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение