Одноэлектронные структуры на основе сверхмалых туннельных переходов Al/AlO<sub><i>x</i></sub>/Al: технология изготовления, экспериментальные результаты

Д.Е. Преснов^а, В.А. Крупенин^б, С.В. Лотхов^б
^аФизический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация
^бМосковский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Ленинские горы 1 стр. 2, Москва, 119991, Российская Федерация

Текст pdf (294 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1996v039n08ABEH001547

PACS: 71.27.+a, 73.40.Rw (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0166.199608v.0906
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1996/8/v/
Цитата: Преснов Д Е, Крупенин В А, Лотхов С В "Одноэлектронные структуры на основе сверхмалых туннельных переходов Al/AlO_x/Al: технология изготовления, экспериментальные результаты" УФН 166 906–907 (1996)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Presnov D E, Krupenin V A, Lotkhov S V “Single-electron structures of supersmall Al/AlO_x/Al tunnelling junctions: manufacturing techniques and experimental results” Phys. Usp. 39 847–848 (1996); DOI: 10.1070/PU1996v039n08ABEH001547

Выпуски

/

1996

/

Август

← →

Одноэлектронные структуры на основе сверхмалых туннельных переходов Al/AlOx/Al: технология изготовления, экспериментальные результаты

Одноэлектронные структуры на основе сверхмалых туннельных переходов Al/AlO_x/Al: технология изготовления, экспериментальные результаты