RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 12, 2024
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

1996

 / 

Июль

←  →

Библиография


Современные сведения о полупроводниках


Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация
Текст pdf (105 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1996v039n07ABEH001526
PACS: 01.30.Kj, 73.61.−r, 72.80.Ey, 78.30.Fs (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0166.199607j.0807
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1996/7/j/
A1996VC59800011
Цитата: Вавилов В С "Современные сведения о полупроводниках" УФН 166 807–808 (1996)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Vavilov V S “Handbook on the physical properties of Ge, Si, GaAs and InP byA Dargys and J Kundrotas” Phys. Usp. 39 757–757 (1996); DOI: 10.1070/PU1996v039n07ABEH001526

Статьи, ссылающиеся на эту (7) ↓ Похожие статьи (14)

  1. Timofeev V A, Skvortsov I V et al Applied Surface Science 659 159852 (2024)
  2. Masalskyi O "Investigation and application of hot carrier phenomenon in photovoltaics" Vilnius Gediminas Technical University, (2023)
  3. Yang W, Lim Sh Q, Williams J S Laser Annealing Processes in Semiconductor Technology (2021) p. 323
  4. Dauphin M, Fix B et al J. Eur. Opt. Soc.-Rapid Publ. 17 (1) (2021)
  5. Tran T T, Hudspeth Q et al Materials Science and Engineering: B 262 114702 (2020)
  6. Lebedev A A, Ivanov P A et al Phys.-Usp. 62 754 (2019)
  7. Chen Zh, Jiang X et al Appl. Phys. Lett. 104 021120 (2014)
© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение