Выпуски

 / 

1996

 / 

Июль

  

Библиография


Современные сведения о полупроводниках


Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация
Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 01.30.Kj, 73.61.−r, 72.80.Ey, 78.30.Fs (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0166.199607j.0807
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1996/7/j/
Цитата: Вавилов В С "Современные сведения о полупроводниках" УФН 166 807–808 (1996)
BibTex BibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
%0 Journal Article
%T Современные сведения о полупроводниках
%A В. С. Вавилов
%I Успехи физических наук
%D 1996
%J Усп. физ. наук
%V 166
%N 7
%P 807-808
%U https://ufn.ru/ru/articles/1996/7/j/
%U https://doi.org/10.3367/UFNr.0166.199607j.0807

English citation: Vavilov V S “Handbook on the physical properties of Ge, Si, GaAs and InP byA Dargys and J KundrotasPhys. Usp. 39 757–757 (1996); DOI: 10.1070/PU1996v039n07ABEH001526

© Успехи физических наук, 1918–2020
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение