Выпуск 12, 2024

Подписчикам

Для авторов

Выпуски

/

1996

/

Июль

← →

Библиография

Современные сведения о полупроводниках

В.С. Вавилов
Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

Текст pdf (105 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1996v039n07ABEH001526

PACS: 01.30.Kj, 73.61.−r, 72.80.Ey, 78.30.Fs (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0166.199607j.0807
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1996/7/j/
Web of Science

Web of Science

A1996VC59800011
Цитата: Вавилов В С "Современные сведения о полупроводниках" УФН 166 807–808 (1996)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline

RefWorks

Русский

RT Journal
T1 Современные сведения о полупроводниках
A1 Вавилов,В.С.
PB Успехи физических наук
PY 1996
FD 10 Jul, 1996
JF Успехи физических наук
JO Усп. физ. наук
VO 166
IS 7
SP 807-808
DO 10.3367/UFNr.0166.199607j.0807
LK https://ufn.ru/ru/articles/1996/7/j/

English citation: Vavilov V S “Handbook on the physical properties of Ge, Si, GaAs and InP byA Dargys and J Kundrotas” Phys. Usp. 39 757–757 (1996); DOI: 10.1070/PU1996v039n07ABEH001526

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение