Выпуск 4, 2024

Подписчикам

Для авторов

Выпуски

/

1996

/

Июль

← →

Библиография

Современные сведения о полупроводниках

В.С. Вавилов
Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

Текст pdf (105 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1996v039n07ABEH001526

PACS: 01.30.Kj, 73.61.−r, 72.80.Ey, 78.30.Fs (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0166.199607j.0807
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1996/7/j/
Web of Science

Web of Science

A1996VC59800011
Цитата: Вавилов В С "Современные сведения о полупроводниках" УФН 166 807–808 (1996)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English

@article{Vavilov:1996,
	author = {V. S. Vavilov},
	title = {Handbook on the physical properties of Ge, Si, GaAs and InP

byA Dargys and J Kundrotas},
	publisher = {Uspekhi Fizicheskikh Nauk},
	year = {1996},
	journal = {Usp. Fiz. Nauk},
	volume = {166},
	number = {7},
	pages = {807-808},
	url = {https://ufn.ru/ru/articles/1996/7/j/},
	doi = {10.3367/UFNr.0166.199607j.0807}
}

English citation: Vavilov V S “Handbook on the physical properties of Ge, Si, GaAs and InP byA Dargys and J Kundrotas” Phys. Usp. 39 757–757 (1996); DOI: 10.1070/PU1996v039n07ABEH001526

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение