 |
RSS-ленты |
|
|||||
| Выпуск 3, 2019 |
|
||||||
|
|
|
||||||
Выпуски/1996/Июль |
← → |
| Библиография |
Современные сведения о полупроводниках
Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация
|
PACS: 01.30.Kj, 73.61.−r, 72.80.Ey, 78.30.Fs ()
DOI: URL: https://ufn.ru/ru/articles/1996/7/j/ Цитата: Вавилов В С "Современные сведения о полупроводниках" УФН 166 807–808 (1996) English citation: Vavilov V S “Handbook on the physical properties of Ge, Si, GaAs and InP byA Dargys and J Kundrotas” Phys. Usp. 39 757–757 (1996); |
|
© Успехи физических наук, 1918–2019 Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение |