Выпуски

 / 

1994

 / 

апрель

←  →

Приборы и методы исследований


Возможности и ограничения ионной имплантации в алмаз и их сопоставление с другими методами введения электрически активных примесей


Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

Алмаз — кристалл, характеризуемый чрезвычайно прочными межатомными связями. Для него характерны очень малые равновесные параметры растворимости примесей и их коэффициенты диффузии. В связи с этим ионная имплантация представляет собою естественную альтернативу метода легирования. Существующие экспериментальные данные показывают, что слой p-типа и p+-типа удается получать путем имплантации ионов бора. Имплантация ионов Li+ и C+ приводит к образованию слоев n-типа. Алмазные пленки, выращенные в присутствии фосфора и натрия, также могут обладать электронной проводимостью. Эффективность введения электрически активных центров существенно различается в зависимости от температуры алмаза во время имплантации и от режима последующего отжига.

Текст pdf (201 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1994v037n04ABEH000023
PACS: 61.72.Ww, 68.55.Ln (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0164.199404k.0429
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1994/4/k/
A1994NM92600012
Цитата: Вавилов В С "Возможности и ограничения ионной имплантации в алмаз и их сопоставление с другими методами введения электрически активных примесей" УФН 164 429–433 (1994)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Vavilov V S “Possibilities and limitations of ion implantation in diamond, and comparison with other doping methods” Phys. Usp. 37 407–411 (1994); DOI: 10.1070/PU1994v037n04ABEH000023

Статьи, ссылающиеся на эту (12) Похожие статьи (20) ↓

  1. В.С. Вавилов, А.Р. Челядинский «Ионная имплантация примесей в монокристаллы кремния: эффективность метода и радиационные нарушения» УФН 165 347–358 (1995)
  2. Г.В. Спивак, В.И. Петров, М.К. Антошин «Локальная катодолюминесценция и ее возможности для исследования зонной структуры твердых тел» УФН 148 689–717 (1986)
  3. Р.З. Бахтизин, Т. Хашицуме и др. «Атомные структуры на поверхности GaAs(001), выращенной методами молекулярно-лучевой эпитаксии» УФН 167 1227–1241 (1997)
  4. А.В. Еремин «Пассивные и активные лазерные методы исследования кинетики неравновесных процессов в ударных трубах» УФН 195 721–737 (2025)
  5. В.С. Вавилов «Полупроводниковые триоды без точечных контактов» УФН 46 96–106 (1952)
  6. В.С. Вавилов «Усиление токов высокой частоты кристаллическими германиевыми триодами» УФН 40 120–141 (1950)
  7. В.В. Лидер «Метод накачки и рентгеновского зондирования» УФН 195 962–981 (2025)
  8. Ю.Л. Соколов «Интерференционный метод измерения параметров атомных состояний» УФН 169 559–583 (1999)
  9. А.С. Герасимов, Г.В. Киселев «Проблемы радиационной безопасности атомной энергетики России» УФН 173 739–746 (2003)
  10. А.Д. Алексеев, Е.В. Ульянова, Т.А. Василенко «Возможности ЯМР в исследовании физических процессов в ископаемых углях» УФН 175 1217–1232 (2005)
  11. А.И. Воробьева «Аппаратура и методы исследования углеродных нанотрубок» УФН 180 265–288 (2010)
  12. Я.С. Гринберг, Ю.А. Пашкин, Е.В. Ильичёв «Наномеханические резонаторы» УФН 182 407–436 (2012)
  13. И.В. Антонова «Применение материалов на основе графенав 2D печатных технологиях» УФН 187 220–234 (2017)
  14. А.К. Ребров «Возможности газофазного синтеза алмазных структур» УФН 187 193–200 (2017)
  15. К.Б. Фрицлер, В.Я. Принц «Методы трёхмерной печати микро- и наноструктур» УФН 189 55–71 (2019)
  16. П.А. Мажаров, В.Г. Дудников, А.Б. Толстогузов «Электрогидродинамические источники ионных пучков» УФН 190 1293–1333 (2020)
  17. Т.А. Исаев «Прямое лазерное охлаждение молекул» УФН 190 313–328 (2020)
  18. Ю.В. Богомолов, В.В. Алексеев и др. «Обзор методов обратной свёртки» УФН 193 669–685 (2023)
  19. В.В. Лидер «Рентгеновские интерферометры Тальбота и Тальбота—Лау» УФН 193 1047–1070 (2023)
  20. В.В. Лидер «Рентгеновская рефракционная интроскопия» УФН 194 345–359 (2024)

Список формируется автоматически.

© Успехи физических наук, 1918–2026
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение