Алмаз — кристалл, характеризуемый чрезвычайно прочными межатомными связями. Для него характерны очень малые равновесные параметры растворимости примесей и их коэффициенты диффузии. В связи с этим ионная имплантация представляет собою естественную альтернативу метода легирования. Существующие экспериментальные данные показывают, что слой p-типа и p⁺-типа удается получать путем имплантации ионов бора. Имплантация ионов Li⁺ и C⁺ приводит к образованию слоев n-типа. Алмазные пленки, выращенные в присутствии фосфора и натрия, также могут обладать электронной проводимостью. Эффективность введения электрически активных центров существенно различается в зависимости от температуры алмаза во время имплантации и от режима последующего отжига.

PACS: 61.72.Ww, 68.55.Ln (все) DOI: 10.3367/UFNr.0164.199404k.0429 URL: https://ufn.ru/ru/articles/1994/4/k/ A1994NM92600012 Цитата: Вавилов В С "Возможности и ограничения ионной имплантации в алмаз и их сопоставление с другими методами введения электрически активных примесей" УФН 164 429–433 (1994) BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks English citation: Vavilov V S “Possibilities and limitations of ion implantation in diamond, and comparison with other doping methods” Phys. Usp. 37 407–411 (1994); DOI: 10.1070/PU1994v037n04ABEH000023