Выпуски

 / 

1994

 / 

Апрель

  

Приборы и методы исследований


Возможности и ограничения ионной имплантации в алмаз и их сопоставление с другими методами введения электрически активных примесей


Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

Алмаз — кристалл, характеризуемый чрезвычайно прочными межатомными связями. Для него характерны очень малые равновесные параметры растворимости примесей и их коэффициенты диффузии. В связи с этим ионная имплантация представляет собою естественную альтернативу метода легирования. Существующие экспериментальные данные показывают, что слой p-типа и p+-типа удается получать путем имплантации ионов бора. Имплантация ионов Li+ и C+ приводит к образованию слоев n-типа. Алмазные пленки, выращенные в присутствии фосфора и натрия, также могут обладать электронной проводимостью. Эффективность введения электрически активных центров существенно различается в зависимости от температуры алмаза во время имплантации и от режима последующего отжига.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 61.72.Ww, 68.55.Ln (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0164.199404k.0429
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1994/4/k/
Цитата: Вавилов В С "Возможности и ограничения ионной имплантации в алмаз и их сопоставление с другими методами введения электрически активных примесей" УФН 164 429–433 (1994)
BibTexBibNote ® (generic) BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
TY JOUR
TI Возможности и ограничения ионной имплантации в алмаз и их сопоставление с другими методами введения электрически активных примесей
AU Вавилов, В. С.
PB Успехи физических наук
PY 1994
JO Успехи физических наук
JF Успехи физических наук
JA Усп. физ. наук
VL 164
IS 4
SP 429-433
UR https://ufn.ru/ru/articles/1994/4/k/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0164.199404k.0429

English citation: Vavilov V S “Possibilities and limitations of ion implantation in diamond, and comparison with other doping methodsPhys. Usp. 37 407–411 (1994); DOI: 10.1070/PU1994v037n04ABEH000023

© Успехи физических наук, 1918–2021
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение