Алмаз — кристалл, характеризуемый чрезвычайно прочными межатомными связями. Для него характерны очень малые равновесные параметры растворимости примесей и их коэффициенты диффузии. В связи с этим ионная имплантация представляет собою естественную альтернативу метода легирования. Существующие экспериментальные данные показывают, что слой p-типа и p⁺-типа удается получать путем имплантации ионов бора. Имплантация ионов Li⁺ и C⁺ приводит к образованию слоев n-типа. Алмазные пленки, выращенные в присутствии фосфора и натрия, также могут обладать электронной проводимостью. Эффективность введения электрически активных центров существенно различается в зависимости от температуры алмаза во время имплантации и от режима последующего отжига.

PACS: 61.72.Ww, 68.55.Ln (все) DOI: 10.3367/UFNr.0164.199404k.0429 URL: https://ufn.ru/ru/articles/1994/4/k/ A1994NM92600012 Цитата: Вавилов В С "Возможности и ограничения ионной имплантации в алмаз и их сопоставление с другими методами введения электрически активных примесей" УФН 164 429–433 (1994) BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline RefWorks Русский English RT Journal T1 Possibilities and limitations of ion implantation in diamond, and comparison with other doping methods A1 Vavilov,V.S. PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk PY 1994 FD 10 Apr, 1994 JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk JO Usp. Fiz. Nauk VO 164 IS 4 SP 429-433 DO 10.3367/UFNr.0164.199404k.0429 LK https://ufn.ru/ru/articles/1994/4/k/ English citation: Vavilov V S “Possibilities and limitations of ion implantation in diamond, and comparison with other doping methods” Phys. Usp. 37 407–411 (1994); DOI: 10.1070/PU1994v037n04ABEH000023