Широкозонными принято считать полупроводники, у которых энергия межзонных электронных переходов превосходит значение, близкое к 2 эВ. Эти вещества имеют различную природу химических связей и структуры кристаллических решеток. Однако электронные и оптические процессы в них проявляют много общего. Среди широкозонных полупроводников особое место занимают алмаз, карбид кремния SiC, фосфид галлия GaP, сульфид кадмия CdS и некоторые родственные ему соединения типа A₂B₆. С развитием оптоэлектроники и других областей практических применений, в частности высокотемпературных приборов и методики детектирования фотонов и заряженных частиц, интерес к широкозонным полупроводникам растет. На примере нескольких наиболее изученных веществ из обширного семейства широкозонных полупроводников обсуждаются типичные особенности происходящих в них процессов, в первую очередь обусловленных интенсивным возбуждением их электронной подсистемы, а также явлениями, зависящими от неизбежно существующих центров локализации носителей заряда.

PACS: 72.80.Ey, 78.20, 85.60.G DOI: 10.3367/UFNr.0164.199403c.0287 URL: https://ufn.ru/ru/articles/1994/3/c/ A1994NH30100003 Цитата: Вавилов В С "Особенности физики широкозонных полупроводников и их практических применений" УФН 164 287–296 (1994) BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline RefWorks Русский English RT Journal T1 Physics and applications of wide bandgap semiconductors A1 Vavilov,V.S. PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk PY 1994 FD 10 Mar, 1994 JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk JO Usp. Fiz. Nauk VO 164 IS 3 SP 287-296 DO 10.3367/UFNr.0164.199403c.0287 LK https://ufn.ru/ru/articles/1994/3/c/ English citation: Vavilov V S “Physics and applications of wide bandgap semiconductors” Phys. Usp. 37 269–277 (1994); DOI: 10.1070/PU1994v037n03ABEH000012