Широкозонными принято считать полупроводники, у которых энергия межзонных электронных переходов превосходит значение, близкое к 2 эВ. Эти вещества имеют различную природу химических связей и структуры кристаллических решеток. Однако электронные и оптические процессы в них проявляют много общего. Среди широкозонных полупроводников особое место занимают алмаз, карбид кремния SiC, фосфид галлия GaP, сульфид кадмия CdS и некоторые родственные ему соединения типа A₂B₆. С развитием оптоэлектроники и других областей практических применений, в частности высокотемпературных приборов и методики детектирования фотонов и заряженных частиц, интерес к широкозонным полупроводникам растет. На примере нескольких наиболее изученных веществ из обширного семейства широкозонных полупроводников обсуждаются типичные особенности происходящих в них процессов, в первую очередь обусловленных интенсивным возбуждением их электронной подсистемы, а также явлениями, зависящими от неизбежно существующих центров локализации носителей заряда.

PACS: 72.80.Ey, 78.20, 85.60.G DOI: 10.3367/UFNr.0164.199403c.0287 URL: https://ufn.ru/ru/articles/1994/3/c/ A1994NH30100003 Цитата: Вавилов В С "Особенности физики широкозонных полупроводников и их практических применений" УФН 164 287–296 (1994) BibTexBibNote ® (generic) BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks Русский English TY JOUR TI Physics and applications of wide bandgap semiconductors AU Vavilov, V. S. PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk PY 1994 JO Uspekhi Fizicheskikh Nauk JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk JA Usp. Fiz. Nauk VL 164 IS 3 SP 287-296 UR https://ufn.ru/ru/articles/1994/3/c/ ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0164.199403c.0287 English citation: Vavilov V S “Physics and applications of wide bandgap semiconductors” Phys. Usp. 37 269–277 (1994); DOI: 10.1070/PU1994v037n03ABEH000012