Широкозонными принято считать полупроводники, у которых энергия межзонных электронных переходов превосходит значение, близкое к 2 эВ. Эти вещества имеют различную природу химических связей и структуры кристаллических решеток. Однако электронные и оптические процессы в них проявляют много общего. Среди широкозонных полупроводников особое место занимают алмаз, карбид кремния SiC, фосфид галлия GaP, сульфид кадмия CdS и некоторые родственные ему соединения типа A₂B₆. С развитием оптоэлектроники и других областей практических применений, в частности высокотемпературных приборов и методики детектирования фотонов и заряженных частиц, интерес к широкозонным полупроводникам растет. На примере нескольких наиболее изученных веществ из обширного семейства широкозонных полупроводников обсуждаются типичные особенности происходящих в них процессов, в первую очередь обусловленных интенсивным возбуждением их электронной подсистемы, а также явлениями, зависящими от неизбежно существующих центров локализации носителей заряда.

PACS: 72.80.Ey, 78.20, 85.60.G DOI: 10.3367/UFNr.0164.199403c.0287 URL: https://ufn.ru/ru/articles/1994/3/c/ A1994NH30100003 Цитата: Вавилов В С "Особенности физики широкозонных полупроводников и их практических применений" УФН 164 287–296 (1994) BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks English citation: Vavilov V S “Physics and applications of wide bandgap semiconductors” Phys. Usp. 37 269–277 (1994); DOI: 10.1070/PU1994v037n03ABEH000012