Бесщелевые полупроводники с магнитными примесями, образующими резонансные донорные состояния

Описываются аномалии электронных свойств бесщелевых полупроводников, легированных переходными элементами (железо, хром), образующими глубокие резонансные донорные состояния, т.е. состояния, вырожденные с континуумом зоны проводимости. Излагается анализ многочисленных исследований, который показывает, что своеобразие свойств обсуждаемых материалов, в частности, такая яркая аномалия, как рост подвижности электронов при увеличении концентрации легирующей примеси, обусловлено коррелированным распределением заряженных доноров в кристалле, являющимся следствием кулоновского взаимодействия между донорами. Исследования резонансных состояний в полупроводниках является новым направлением в физике твердого тела, представляющим одновременно и практический интерес, поскольку позволяет, например, получать материалы с максимальными подвижностями электронов. Табл. 2. Ил. 23. Библиогр. ссылок 32

Текст pdf (863 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1992v035n02ABEH002215

PACS: 71.55.Gs, 75.30.Hx, 72.20.Fr, 72.80.Jc (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0162.199202b.0063
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1992/2/b/
Цитата: Цидильковский И М "Бесщелевые полупроводники с магнитными примесями, образующими резонансные донорные состояния" УФН 162 (2) 63–105 (1992)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline

RefWorks

Русский

English

RT Journal
T1 Zero-gap semiconductors with magnetic impurities forming resonance donor states
A1 Tsidil’kovskii,I.M.
PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk
PY 1992
FD 10 Feb, 1992
JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JO Usp. Fiz. Nauk
VO 162
IS 2
SP 63-105
DO 10.3367/UFNr.0162.199202b.0063
LK https://ufn.ru/ru/articles/1992/2/b/

English citation: Tsidil’kovskii I M “Zero-gap semiconductors with magnetic impurities forming resonance donor states” Sov. Phys. Usp. 35 (2) 85–105 (1992); DOI: 10.1070/PU1992v035n02ABEH002215