Выпуски

 / 

1992

 / 

Февраль

  

Обзоры актуальных проблем


Бесщелевые полупроводники с магнитными примесями, образующими резонансные донорные состояния

Описываются аномалии электронных свойств бесщелевых полупроводников, легированных переходными элементами (железо, хром), образующими глубокие резонансные донорные состояния, т.е. состояния, вырожденные с континуумом зоны проводимости. Излагается анализ многочисленных исследований, который показывает, что своеобразие свойств обсуждаемых материалов, в частности, такая яркая аномалия, как рост подвижности электронов при увеличении концентрации легирующей примеси, обусловлено коррелированным распределением заряженных доноров в кристалле, являющимся следствием кулоновского взаимодействия между донорами. Исследования резонансных состояний в полупроводниках является новым направлением в физике твердого тела, представляющим одновременно и практический интерес, поскольку позволяет, например, получать материалы с максимальными подвижностями электронов. Табл. 2. Ил. 23. Библиогр. ссылок 32

Текст pdf (863 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1992v035n02ABEH002215
PACS: 71.55.Gs, 75.30.Hx, 72.20.Fr, 72.80.Jc (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0162.199202b.0063
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1992/2/b/
Цитата: Цидильковский И М "Бесщелевые полупроводники с магнитными примесями, образующими резонансные донорные состояния" УФН 162 (2) 63–105 (1992)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Tsidil’kovskii I M “Zero-gap semiconductors with magnetic impurities forming resonance donor statesSov. Phys. Usp. 35 (2) 85–105 (1992); DOI: 10.1070/PU1992v035n02ABEH002215

Список литературы (32) ↓ Статьи, ссылающиеся на эту (35) Похожие статьи (20)

  1. а), Арапов Ю.Г., Давыдов А.Б., Цидильковский И.М. ФТП 16 54 (1982); б), Брандт Н.Б., Цидильковский И.М., Moщалков В.В., Поникаров Б.Б., Скрбек Л., Талденков А.Н., Чудинов С.M. ФТП 17 18 (1983); Брандт Н.Б., Мощалков В.В., Орлов А.О., Скрбек Л., Цидильковский И.М., Чудинов С.M. ЖЭТФ 84 1050 (1983)
  2. Mycielski J Solid State Commun. 60 165 (1986)
  3. Wilamowski Z., Jantsch W., Hendorfer G. Semicond. Sci. Technol. 5 266 (1990)
  4. Wilamowski Z., Mycielski A,, Jantsch W., Hetidorfer G. Proc. 19th Internal. Conference on Physics of Semiconductors Vol. 2 (Ed. W Zawadzki) (Warsaw, 1988) p. 1125; Wilamowski Z., Mycielski A,, Jantsch W., Hetidorfer G. Phys. Rev. 38 3621 (1988)
  5. Глузман Н.Г., Сабирзянова Л.Д., Цидильковский И.М., Паранчич Л.Д., Паранчич С.Ю. ФТП 20 94 (1986); Глузман Н.Г., Сабирзянова Л.Д., Цидильковский И.М., Паранчич Л.Д., Паранчич С.Ю. ФТП 20 1994 (1986)
  6. Low W., Weger M. Phys. Rev. 118 1130 (1960)
  7. Slack G.A., Roberts S., Vallin J. Phys. Rev. 187 511 (1969)
  8. Serre H., Bastard G., Mycielski J., Furdyna J.K. Proc. of the 4th Intern. Conference on Physics of Narrow Gap Semiconductors (1981) p. 321
  9. Lewicki A., Spalek J., Mycielski A. J. Phys. C 20 2005 (1987)
  10. Arciszemka M., Lenard A., Dietl Т., Plesiewicz W., Sawicki M., Skoskiewicz Т., Dobrowolski W. Acta Phys. Polon. A 77 155 (1990)
  11. Reifenberger R., Kossut J. J. Vacuum Sci. Technol. A 5 2995 (1987)
  12. Mycielski A., Dzwonkowski P., Kowalski В., Orlowski В., Dobrowolska M., Arciszewska M., Dobrowolski W., Baranowski J. J. Phys. C 19 3605 (1986)
  13. Dobrowolski W,, Dybko K., Mycielski A., Mycieelski J., Wrobel J., Piechota S., Palczewska M., Szymczak H., Wilasmowki Z. Proc. 18th Intern. Conference on Physics of Semiconductors Vol. 2 (Ed. D Engstrom) (Singapore, 1987) p. 1743
  14. Dobrowolski W., Dybko K., Skierbiszewski S., Suski Т., Litwin&Staszewska E., Miotkowska S., Kossut J., Mycielski A. Proc. 19th Internal. Conference on Physics of Semiconductors Vol. 2 (Ed. W Zawadzki) (Warsaw, 1988) p. 1247
  15. Dietl Т., Szymanska W. Phys. Chem. Solids 39 1041 (1978)
  16. Pool F., Kossut J., Debska U., Reifenberger R. Phys. Rev. B 35 3900 (1987)
  17. Miller M., Reifenberger R. Phys. Rev. B 38 4120 (1988)
  18. Mycielski A J. Appl. Phys. 63 3279 (1988)
  19. Dietl T Jpn. J. Appl. Phys. 26 1907 (1987), Suppl. 3
  20. Lenard A., Dietl Т., Sawicki M., Dybko K., Dobrowolski W., Skoskiewicz Т., Plesiewicz W., Mycielski A. Acta Phys. Polon. 75 249 (1989)
  21. Swiatek K., Dietl Т., Wilamowski Z., Kossut J. Acta Phys. Polon. 75 253 (1989)
  22. Аблязов Н.Н., Эфрос А.Л. ЖЭТФ 95 1450 (1989)
  23. Wilamowski Z., Swiatek K., Dietl Т., Kossut J. Solid State Commun. 74 833 (1990)
  24. Kossut J., Wilamowski Z., Dietl Т., Swiatek K. Proc. 20th Internal. Conference on Physics of Semiconductors (Thessaloniki, 1990)
  25. Skierbiszewski C., Suski Т., Dobrowolski W., Dybko K., Mycielski A. Semicond. Sci. Technol. 4 293 (1989)
  26. Wilamowski Z Acta Phys. Polon. A 77 133 (1990)
  27. Kossut J., Dobrowolski W., Wilamowski Z., Dietl Т., Swiatek K. Semicond. Sci. Technol. 5 5260 (1990)
  28. Nowik I., Bauminger E.R., Mycielski A., Symczak H. Physica B 153 215 (1988)
  29. Глузман Н.Г., Леринман U.K., Сабирзянова Л.Д., Цидильковский И.М., Паранчич С.Ю., Паранчич Ю.С. ФТП 25 121 (1991)
  30. Money P M J. Appl. Phys. 67 R1 (1990)
  31. Dietl T J. Cryst. Growth 101 808 (1990)
  32. Furdyna J J. Vacuum Sci. Technol. A 4 2002 (1986)

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение