Описываются аномалии электронных свойств бесщелевых полупроводников, легированных переходными элементами (железо, хром), образующими глубокие резонансные донорные состояния, т.е. состояния, вырожденные с континуумом зоны проводимости. Излагается анализ многочисленных исследований, который показывает, что своеобразие свойств обсуждаемых материалов, в частности, такая яркая аномалия, как рост подвижности электронов при увеличении концентрации легирующей примеси, обусловлено коррелированным распределением заряженных доноров в кристалле, являющимся следствием кулоновского взаимодействия между донорами. Исследования резонансных состояний в полупроводниках является новым направлением в физике твердого тела, представляющим одновременно и практический интерес, поскольку позволяет, например, получать материалы с максимальными подвижностями электронов. Табл. 2. Ил. 23. Библиогр. ссылок 32

TY JOUR
TI Бесщелевые полупроводники с магнитными примесями, образующими резонансные донорные состояния
AU Цидильковский, И. М.
PB Успехи физических наук
PY 1992
JO Успехи физических наук
JF Успехи физических наук
JA Усп. физ. наук
VL 162
IS 2
SP 63-105
UR https://ufn.ru/ru/articles/1992/2/b/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0162.199202b.0063