Выпуски

 / 

1992

 / 

Февраль

  

Обзоры актуальных проблем


Бесщелевые полупроводники с магнитными примесями, образующими резонансные донорные состояния

Описываются аномалии электронных свойств бесщелевых полупроводников, легированных переходными элементами (железо, хром), образующими глубокие резонансные донорные состояния, т.е. состояния, вырожденные с континуумом зоны проводимости. Излагается анализ многочисленных исследований, который показывает, что своеобразие свойств обсуждаемых материалов, в частности, такая яркая аномалия, как рост подвижности электронов при увеличении концентрации легирующей примеси, обусловлено коррелированным распределением заряженных доноров в кристалле, являющимся следствием кулоновского взаимодействия между донорами. Исследования резонансных состояний в полупроводниках является новым направлением в физике твердого тела, представляющим одновременно и практический интерес, поскольку позволяет, например, получать материалы с максимальными подвижностями электронов. Табл. 2. Ил. 23. Библиогр. ссылок 32

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 71.55.Gs, 75.30.Hx, 72.20.Fr, 72.80.Jc (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0162.199202b.0063
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1992/2/b/
Цитата: Цидильковский И М "Бесщелевые полупроводники с магнитными примесями, образующими резонансные донорные состояния" УФН 162 (2) 63–105 (1992)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Tsidil’kovskii I M “Zero-gap semiconductors with magnetic impurities forming resonance donor statesSov. Phys. Usp. 35 (2) 85–105 (1992); DOI: 10.1070/PU1992v035n02ABEH002215

Статьи, ссылающиеся на эту (32) ↓ Похожие статьи (20)

  1. Veinger A I, Kochman I V et al Semiconductors 53 298 (2019)
  2. Veinger A I, Kochman I V et al Semiconductors 52 980 (2018)
  3. Veinger A I, Kochman I V et al Semiconductors 52 1672 (2018)
  4. Brockway L, Vasiraju V et al ACS Appl. Mater. Interfaces 6 14923 (2014)
  5. Heo Ja, Laurita G et al Chem. Mater. 26 2047 (2014)
  6. Lamonova K, Bekirov B et al Low Temperature Physics 40 655 (2014)
  7. Popenko N, Bekirov B et al Jetp Lett. 100 247 (2014)
  8. Heremans J P, Wiendlocha B, Chamoire A M Energy Environ. Sci. 5 5510 (2012)
  9. König Ja D, Nielsen M D et al Phys. Rev. B 84 (20) (2011)
  10. Aleshkin V Ya, Gavrilenko L V et al Semiconductors 42 880 (2008)
  11. Okulov V I, Govorkova T E et al Low Temperature Physics 33 207 (2007)
  12. Okulov V I, Sabirzyanova L D et al Jetp Lett. 81 72 (2005)
  13. Okulov V I, Gergert A V et al Low Temperature Physics 31 872 (2005)
  14. Ivanov V A, Aminov T G et al Russ Chem Bull 53 2357 (2004)
  15. Okulov V I, Alshanskii G A et al Low Temperature Physics 30 417 (2004)
  16. Okulov V I Low Temperature Physics 30 897 (2004)
  17. Kuleev I G, Kuleev I I et al Phys. Solid State 45 1874 (2003)
  18. Kuleev I G, Kuleev I I Phys. Solid State 45 214 (2003)
  19. Poklonski N A, Vyrko S A Phys. Solid State 44 1235 (2002)
  20. Kuleev I G, Arapova I Yu Phys. Solid State 43 420 (2001)
  21. Strikha M V, Vasko F T J. Phys.: Condens. Matter 12 4141 (2000)
  22. Kuleev I G, Lonchakov A T, Arapova I Yu Semiconductors 34 389 (2000)
  23. Kuleev I G Phys. Solid State 40 389 (1998)
  24. Kuleev I G, Lonchakov A T et al J. Exp. Theor. Phys. 87 106 (1998)
  25. Neifel’d É A, Demchuk K M et al Semiconductors 31 261 (1997)
  26. Kuleyev I G, Lerinman N K et al Semicond. Sci. Technol. 12 840 (1997)
  27. Kuleev I G, Lonchakov A T et al Phys. Solid State 39 1575 (1997)
  28. Plyatsko S V, Klad’ko V P Semiconductors 31 1037 (1997)
  29. Kuleev I G Phys. Solid State 39 219 (1997)
  30. Tsidilkovski I M, Kuleyev I G Semicond. Sci. Technol. 11 625 (1996)
  31. Tsidilkovski I M phys. stat. sol. (b) 194 383 (1996)
  32. von Ortenberg M Physica B: Condensed Matter 184 432 (1993)

© Успехи физических наук, 1918–2020
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение