Выпуски

 / 

1989

 / 

июнь

←  →

Обзоры актуальных проблем


Физические свойства границы полупроводник – электролит


Research and Production Company Lasernaya Tekhnika, ul. Shoprona 21, Erevan, 375090, Armenia

Обсуждены строение двойного электрического слоя, образующегося на границе полупроводник – электролит, энергетические состояния и несовершенства в электролите и на поверхности полупроводника. Значительное место уделено изложению результатов исследований фотоэффектов, люминесценции, отражения и электроотражения на вышеуказанной границе. Квантовым размерным эффектам, имеющим место в полупроводниковых электродах и коллоидах, а также инжекции горячих электронов в электролит посвящены последующие разделы обзора. Дана классификация фотоэлектрохимических элементов и изложены современные данные по преобразователям солнечной энергии или лазерного излучения в электрическую или химическую. Табл. 1. Ил. 21. Библиограф. ссылок 143 (156 назв.)

Текст pdf (749 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1989v032n06ABEH002726
PACS: 72.40.+w, 73.40.Mr, 78.55.Et, 82.45.Gj, 82.45.Vp (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0158.198906c.0255
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1989/6/c/
Цитата: Арутюнян В М "Физические свойства границы полупроводник – электролит" УФН 158 255–291 (1989)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Arutyunyan V M “Physical properties of the semiconductor-electrolyte interface” Sov. Phys. Usp. 32 521–542 (1989); DOI: 10.1070/PU1989v032n06ABEH002726

Статьи, ссылающиеся на эту (21) Похожие статьи (20) ↓

  1. Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов «Терагерцовая фотопроводимость и нетривиальные локальные электронные состояния в легированных полупроводниках на основе теллурида свинца» УФН 184 1033–1044 (2014)
  2. С.Г. Тиходеев «Электронно-дырочная жидкость в полупроводниках» УФН 145 3–50 (1985)
  3. В.М. Арутюнян, С.Г. Оганесян «Вынужденный черенковский эффект» УФН 164 1089–1125 (1994)
  4. Э.Л. Нагаев «Манганиты лантана и другие магнитные проводники с гигантским магнитосопротивлением» УФН 166 833–858 (1996)
  5. А.А. Шашкин «Переходы металл – диэлектрик и эффекты электрон-электронного взаимодействия в двумерных электронных системах» УФН 175 139–161 (2005)
  6. Н.Б. Брандт, Е.А. Свистова «Электронные переходы в сильных магнитных полях» УФН 101 249–272 (1970)
  7. Г.А. Мартынов «Статистическая теория растворов электролитов средней концентрации» УФН 91 455–483 (1967)
  8. П.Г. Баранов, А.М. Калашникова и др. «Спинтроника полупроводниковых, металлических, диэлектрических и гибридных структур (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)» УФН 189 849–880 (2019)
  9. И.М. Цидильковский «Кристаллизация трехмерного электронного газа» УФН 152 583–622 (1987)
  10. Л.М. Блинов «Лэнгмюровские пленки» УФН 155 443–480 (1988)
  11. М.А. Либерман, Б. Йоханссон «Вещество в сверхсильном магнитном поле и структура поверхности нейтронных звезд» УФН 165 121–142 (1995)
  12. И.К. Кикоин, С.Д. Лазарев «Фотоэлектромагнитный эффект» УФН 124 597–617 (1978)
  13. А.И. Гусев «Эффекты нанокристаллического состояния в компактных металлах и соединениях» УФН 168 55–83 (1998)
  14. И.А. Соколик, Е.Л. Франкевич «Влияние магнитных полей на фотопроцессы в органических твердых телах» УФН 111 261–288 (1973)
  15. Н.Н. Берченко, М.В. Пашковский «Теллурид ртути — полупроводник с нулевой запрещенной зоной» УФН 119 223–255 (1976)
  16. В.С. Вавилов «Природа и энергетический спектр радиационных нарушений в полупроводниках» УФН 84 431–450 (1964)
  17. Г.М. Гуро «Характеристические времена электронных процессов в полупроводниках» УФН 72 711–740 (1960)
  18. А.В. Галеева, А.С. Казаков, Д.Р. Хохлов «Терагерцовое зондирование топологических изоляторов: фотоэлектрические эффекты» УФН 194 1046–1058 (2024)
  19. Г.А. Петраковский «Аморфные магнетики» УФН 134 305–331 (1981)
  20. В.И. Белиничер, Б.И. Стурман «Фотогальванический эффект в средах без центра симметрии» УФН 130 415–458 (1980)

Список формируется автоматически.

© Успехи физических наук, 1918–2026
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение