RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 4, 2024
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

1989

 / 

Июнь

←  →

Обзоры актуальных проблем


Физические свойства границы полупроводник-электролит


Research and Production Company Lasernaya Tekhnika, ul. Shoprona 21, Erevan, 375090, Armenia

Обсуждены строение двойного электрического слоя, образующегося на границе полупроводник-электролит, энергетические состояния и несовершенства в электролите и на поверхности полупроводника. Значительное место уделено изложению результатов исследований фотоэффектов, люминесценции, отражения и электроотражения на вышеуказанной границе. Квантовым размерным эффектам, имеющим место в полупроводниковых электродах и коллоидах, а также инжекции горячих электронов в электролит посвящены последующие разделы обзора. Дана классификация фотоэлектрохимических элементов и изложены современные данные по преобразователям солнечной энергии или лазерного излучения в электрическую или химическую. Табл. 1. Ил. 21. Библиограф. ссылок 143 (156 назв.)

Текст pdf (749 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1989v032n06ABEH002726
PACS: 72.40.+w, 73.40.Mr, 78.55.Et, 82.45.Gj, 82.45.Vp (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0158.198906c.0255
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1989/6/c/
Цитата: Арутюнян В М "Физические свойства границы полупроводник-электролит" УФН 158 255–291 (1989)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Arutyunyan V M “Physical properties of the semiconductor-electrolyte interface” Sov. Phys. Usp. 32 521–542 (1989); DOI: 10.1070/PU1989v032n06ABEH002726

Статьи, ссылающиеся на эту (19) Похожие статьи (20) ↓

  1. В.А. Миличко, А.С. Шалин и др. «Солнечная фотовольтаика: современное состояние и тенденции развития» 186 801–852 (2016)
  2. С.Г. Тиходеев «Электронно-дырочная жидкость в полупроводниках» 145 3–50 (1985)
  3. И.К. Кикоин, С.Д. Лазарев «Фотоэлектромагнитный эффект» 124 597–617 (1978)
  4. И.М. Цидильковский «Кристаллизация трехмерного электронного газа» 152 583–622 (1987)
  5. В.М. Арутюнян, С.Г. Оганесян «Вынужденный черенковский эффект» 164 1089–1125 (1994)
  6. И.А. Соколик, Е.Л. Франкевич «Влияние магнитных полей на фотопроцессы в органических твердых телах» 111 261–288 (1973)
  7. Г.А. Мартынов «Статистическая теория растворов электролитов средней концентрации» 91 455–483 (1967)
  8. В.С. Вавилов «Природа и энергетический спектр радиационных нарушений в полупроводниках» 84 431–450 (1964)
  9. Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов «Терагерцовая фотопроводимость и нетривиальные локальные электронные состояния в легированных полупроводниках на основе теллурида свинца» 184 1033–1044 (2014)
  10. Г.А. Петраковский «Аморфные магнетики» 134 305–331 (1981)
  11. В.И. Белиничер, Б.И. Стурман «Фотогальванический эффект в средах без центра симметрии» 130 415–458 (1980)
  12. Г.М. Гуро «Характеристические времена электронных процессов в полупроводниках» 72 711–740 (1960)
  13. П.Г. Баранов, А.М. Калашникова и др. «Спинтроника полупроводниковых, металлических, диэлектрических и гибридных структур (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)» 189 849–880 (2019)
  14. Э.Л. Нагаев «Разделение фаз в высокотемпературных сверхпроводниках и родственных им магнитных материалах» 165 529–554 (1995)
  15. Э.Л. Нагаев «Манганиты лантана и другие магнитные проводники с гигантским магнитосопротивлением» 166 833–858 (1996)
  16. А.А. Шашкин «Переходы металл-диэлектрик и эффекты электрон-электронного взаимодействия в двумерных электронных системах» 175 139–161 (2005)
  17. Н.Б. Брандт, Е.А. Свистова «Электронные переходы в сильных магнитных полях» 101 249–272 (1970)
  18. Г.С. Чилая, В.Г. Чигринов «Оптика и электрооптика хиральных смектических С жидких кристаллов» 163 (10) 1–28 (1993)
  19. И.М. Тернов «Синхротронное излучение» 165 429–456 (1995)
  20. Б.П. Захарченя, Д.Н. Мирлин и др. «Спектр и поляризация фотолюминесценции горячих электронов в полупроводниках» 136 459–499 (1982)

Список формируется автоматически.
© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение