Выпуски

 / 

1989

 / 

Июнь

  

Обзоры актуальных проблем


Физические свойства границы полупроводник-электролит


Research and Production Company Lasernaya Tekhnika, ul. Shoprona 21, Erevan, 375090, Armenia

Обсуждены строение двойного электрического слоя, образующегося на границе полупроводник-электролит, энергетические состояния и несовершенства в электролите и на поверхности полупроводника. Значительное место уделено изложению результатов исследований фотоэффектов, люминесценции, отражения и электроотражения на вышеуказанной границе. Квантовым размерным эффектам, имеющим место в полупроводниковых электродах и коллоидах, а также инжекции горячих электронов в электролит посвящены последующие разделы обзора. Дана классификация фотоэлектрохимических элементов и изложены современные данные по преобразователям солнечной энергии или лазерного излучения в электрическую или химическую. Табл. 1. Ил. 21. Библиограф. ссылок 143 (156 назв.)

Текст pdf (749 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1989v032n06ABEH002726
PACS: 72.40.+w, 73.40.Mr, 78.55.Et, 82.45.Gj, 82.45.Vp (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0158.198906c.0255
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1989/6/c/
Цитата: Арутюнян В М "Физические свойства границы полупроводник-электролит" УФН 158 255–291 (1989)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Arutyunyan V M “Physical properties of the semiconductor-electrolyte interfaceSov. Phys. Usp. 32 521–542 (1989); DOI: 10.1070/PU1989v032n06ABEH002726

Статьи, ссылающиеся на эту (19) Похожие статьи (20) ↓

  1. В.А. Миличко, А.С. Шалин и др. «Солнечная фотовольтаика: современное состояние и тенденции развития» УФН 186 801–852 (2016)
  2. С.Г. Тиходеев «Электронно-дырочная жидкость в полупроводниках» УФН 145 3–50 (1985)
  3. И.К. Кикоин, С.Д. Лазарев «Фотоэлектромагнитный эффект» УФН 124 597–617 (1978)
  4. И.М. Цидильковский «Кристаллизация трехмерного электронного газа» УФН 152 583–622 (1987)
  5. В.М. Арутюнян, С.Г. Оганесян «Вынужденный черенковский эффект» УФН 164 1089–1125 (1994)
  6. И.А. Соколик, Е.Л. Франкевич «Влияние магнитных полей на фотопроцессы в органических твердых телах» УФН 111 261–288 (1973)
  7. Г.А. Мартынов «Статистическая теория растворов электролитов средней концентрации» УФН 91 455–483 (1967)
  8. В.С. Вавилов «Природа и энергетический спектр радиационных нарушений в полупроводниках» УФН 84 431–450 (1964)
  9. Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов «Терагерцовая фотопроводимость и нетривиальные локальные электронные состояния в легированных полупроводниках на основе теллурида свинца» УФН 184 1033–1044 (2014)
  10. А.В. Галеева, А.С. Казаков, Д.Р. Хохлов «Терагерцовое зондирование топологических изоляторов: фотоэлектрические эффекты» УФН 194 1046–1058 (2024)
  11. Г.А. Петраковский «Аморфные магнетики» УФН 134 305–331 (1981)
  12. В.И. Белиничер, Б.И. Стурман «Фотогальванический эффект в средах без центра симметрии» УФН 130 415–458 (1980)
  13. Г.М. Гуро «Характеристические времена электронных процессов в полупроводниках» УФН 72 711–740 (1960)
  14. П.Г. Баранов, А.М. Калашникова и др. «Спинтроника полупроводниковых, металлических, диэлектрических и гибридных структур (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)» УФН 189 849–880 (2019)
  15. Э.Л. Нагаев «Разделение фаз в высокотемпературных сверхпроводниках и родственных им магнитных материалах» УФН 165 529–554 (1995)
  16. Э.Л. Нагаев «Манганиты лантана и другие магнитные проводники с гигантским магнитосопротивлением» УФН 166 833–858 (1996)
  17. А.А. Шашкин «Переходы металл-диэлектрик и эффекты электрон-электронного взаимодействия в двумерных электронных системах» УФН 175 139–161 (2005)
  18. Н.Б. Брандт, Е.А. Свистова «Электронные переходы в сильных магнитных полях» УФН 101 249–272 (1970)
  19. Г.С. Чилая, В.Г. Чигринов «Оптика и электрооптика хиральных смектических С жидких кристаллов» УФН 163 (10) 1–28 (1993)
  20. И.М. Тернов «Синхротронное излучение» УФН 165 429–456 (1995)

Список формируется автоматически.

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение