Физические свойства границы полупроводник – электролит

Обсуждены строение двойного электрического слоя, образующегося на границе полупроводник-электролит, энергетические состояния и несовершенства в электролите и на поверхности полупроводника. Значительное место уделено изложению результатов исследований фотоэффектов, люминесценции, отражения и электроотражения на вышеуказанной границе. Квантовым размерным эффектам, имеющим место в полупроводниковых электродах и коллоидах, а также инжекции горячих электронов в электролит посвящены последующие разделы обзора. Дана классификация фотоэлектрохимических элементов и изложены современные данные по преобразователям солнечной энергии или лазерного излучения в электрическую или химическую. Табл. 1. Ил. 21. Библиограф. ссылок 143 (156 назв.)

Текст pdf (749 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1989v032n06ABEH002726

PACS: 72.40.+w, 73.40.Mr, 78.55.Et, 82.45.Gj, 82.45.Vp (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0158.198906c.0255
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1989/6/c/
Цитата: Арутюнян В М "Физические свойства границы полупроводник-электролит" УФН 158 255–291 (1989)

BibTexBibNote ® (generic)

BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Русский

English

TY JOUR
TI Физические свойства границы полупроводник – электролит
AU Арутюнян, В. М.
PB Успехи физических наук
PY 1989
JO Успехи физических наук
JF Успехи физических наук
JA Усп. физ. наук
VL 158
IS 6
SP 255-291
UR https://ufn.ru/ru/articles/1989/6/c/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0158.198906c.0255

English citation: Arutyunyan V M “Physical properties of the semiconductor-electrolyte interface” Sov. Phys. Usp. 32 521–542 (1989); DOI: 10.1070/PU1989v032n06ABEH002726