Сканирующая туннельная микроскопия атомной структуры, электронных свойств и поверхностных химических реакций

Н.С. Маслова, В.И. Панов
Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Ленинские горы 1 стр. 2, Москва, 119991, Российская Федерация

Обзор применений метода сканирующей туннельной микроскопии (СТМ) для изучения характера электронных свойств чистых поверхностей, изменения электронных свойств при адсорбции и поверхностных химических реакциях, а также для выяснения роли электронных свойств поверхности в формировании химических связей в процессе реакции и при образовании поверхностных структур. Показано влияние локальной плотности электронных состояний на СТМ-изображение адсорбированных атомов тех или иных элементов. Дано описание электронных свойств и атомной структуры реконструированной поверхности Si (111)-(7 X 7). На примере химической реакции NH₃ с поверхностью Si (111)-(7 X 7) показано, что реакционная способность различных атомов непосредственно связана с наличием локализованных «болтающихся связей».

Текст pdf (463 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1989v032n01ABEH002678

PACS: 68.37.Hk, 68.35.Bs, 73.20.At, 68.43.−h, 82.65.+r (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0157.198901f.0185
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1989/1/f/
Цитата: Маслова Н С, Панов В И "Сканирующая туннельная микроскопия атомной структуры, электронных свойств и поверхностных химических реакций" УФН 157 185–195 (1989)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline

RefWorks

Русский

English

RT Journal
T1 Scanning tunneling microscopy of atomic structure, electronic properties, and surface chemical reactions
A1 Maslova,N.S.
A1 Panov,V.I.
PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk
PY 1989
FD 10 Jan, 1989
JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JO Usp. Fiz. Nauk
VO 157
IS 1
SP 185-195
DO 10.3367/UFNr.0157.198901f.0185
LK https://ufn.ru/ru/articles/1989/1/f/

English citation: Maslova N S, Panov V I “Scanning tunneling microscopy of atomic structure, electronic properties, and surface chemical reactions” Sov. Phys. Usp. 32 93–99 (1989); DOI: 10.1070/PU1989v032n01ABEH002678