Многоэкситонные комплексы в полупроводниках

В.Д. Кулаковский^а, Г.Е. Пикус, В.Б. Тимофеев^а
^аИнститут физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна РАН, ул. Академика Осипьяна 2, Черноголовка, Московская обл., 142432, Российская Федерация

Содержание: Введение. Оболочечная модель связанных многоэкситонных комплексов. Спектры излучения МЭПК в Si. Тонкая структура уровней ЭПК в Ge. Правила отбора для переходов в МЭПК в Si и Ge. Влияние упругих одноосных формаций на спектры излучения МЭПК. Влияние магнитного поля на спектры МЭПК. Электронно-дырочный и электронно-электронный обмен и тонкая структура уровней МЭПК в Si. Заключение. Цитированная литература.

Текст pdf (2,9 Мб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1981v024n10ABEH004805

PACS: 71.55.Fr, 71.35.+z
DOI: 10.3367/UFNr.0135.198110d.0237
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1981/10/d/
Цитата: Кулаковский В Д, Пикус Г Е, Тимофеев В Б "Многоэкситонные комплексы в полупроводниках" УФН 135 237–284 (1981)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Kulakovskii V D, Pikus G E, Timofeev V B “Multiexciton complexes in semiconductors” Sov. Phys. Usp. 24 815–840 (1981); DOI: 10.1070/PU1981v024n10ABEH004805