Выпуски

 / 

1976

 / 

Август

  

Из текущей литературы


Экзоэлектронная эмиссия полупроводников

Содержание: Введение. Понятие экзоэмиссии. Структурная чувствительность эффекта. Пластическая деформация. Фазовые превращения. Диффузия. Радиационные нарушения. Химические и сорбционные процессы. Приборы и методы регистрации параметров ЭЭЭ. Регистрация счетчиком Гейгера — Мюллера. Детектирование вторично-эмиссионными приборами. Локальные методы регистрации ЭЭЭ. Измерение энергии электронов. Физическая природа экзоэлектронной эмиссии. Термоактивационный механизм. Модель электрически заряженной микрощели. Вакансионно-диффузионный механизм эмиссии. Оже-механизм экзоэлектронной эмиссии. Люминесцентная модель эмиссии. «Автоэмиссионный» механизм. Экзоэлектронная эмиссия элементарных полупроводников. Общие замечания. Эмиссионные центры. Кинетика эмиссии. Экзоэлектронная эмиссия полупроводниковых соединений. Заключение. Цитированная литература.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 79.75.+g
DOI: 10.3367/UFNr.0119.197608g.0749
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1976/8/g/
Цитата: Минц Р И, Мильман И И, Крюк В И "Экзоэлектронная эмиссия полупроводников" УФН 119 749–766 (1976)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Mints R I, Mil’man I I, Kryuk V I “Exoelectronic emission of semiconductorsSov. Phys. Usp. 19 697–707 (1976); DOI: 10.1070/PU1976v019n08ABEH005287

© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение