Экзоэлектронная эмиссия полупроводников

Содержание: Введение. Понятие экзоэмиссии. Структурная чувствительность эффекта. Пластическая деформация. Фазовые превращения. Диффузия. Радиационные нарушения. Химические и сорбционные процессы. Приборы и методы регистрации параметров ЭЭЭ. Регистрация счетчиком Гейгера — Мюллера. Детектирование вторично-эмиссионными приборами. Локальные методы регистрации ЭЭЭ. Измерение энергии электронов. Физическая природа экзоэлектронной эмиссии. Термоактивационный механизм. Модель электрически заряженной микрощели. Вакансионно-диффузионный механизм эмиссии. Оже-механизм экзоэлектронной эмиссии. Люминесцентная модель эмиссии. «Автоэмиссионный» механизм. Экзоэлектронная эмиссия элементарных полупроводников. Общие замечания. Эмиссионные центры. Кинетика эмиссии. Экзоэлектронная эмиссия полупроводниковых соединений. Заключение. Цитированная литература.

Текст pdf (1,3 Мб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1976v019n08ABEH005287

PACS: 79.75.+g
DOI: 10.3367/UFNr.0119.197608g.0749
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1976/8/g/
Цитата: Минц Р И, Мильман И И, Крюк В И "Экзоэлектронная эмиссия полупроводников" УФН 119 749–766 (1976)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Mints R I, Mil’man I I, Kryuk V I “Exoelectronic emission of semiconductors” Sov. Phys. Usp. 19 697–707 (1976); DOI: 10.1070/PU1976v019n08ABEH005287

Статьи, ссылающиеся на эту (22) ↓ Похожие статьи (7)

Meshchanov A V, Shishpanov A I, Ionikh Y Z J. Phys. D: Appl. Phys. 57 015204 (2024)
Meshchanov A V, D’yachkov S A, Ionikh Yu Z Plasma Phys. Rep. 49 1124 (2023)
Ionikh Yu Z Plasma Phys. Rep. 46 1015 (2020)
Meshchanov A V, Ivanov D O et al J. Phys. D: Appl. Phys. 51 335202 (2018)
Nie L, Xian Y et al 24 (4) (2017)
Shishpanov A I, Ionikh Yu Z, Meshchanov A V Opt. Spectrosc. 120 871 (2016)
Shibkov A A, Titov S A et al Phys. Solid State 58 1 (2016)
Meshchanov A V, Ionikh Yu Z et al Plasma Phys. Rep. 42 978 (2016)
Bystrov V S, Paramonova E V et al 111 (10) (2012)
Макаров Г Н Uspekhi Fizicheskikh Nauk 176 121 (2006)
Postnikov A Yu, Gavrilov P I et al Dokl. Phys. 47 305 (2002)
Zakharov N A Tech. Phys. Lett. 27 1035 (2001)
Banishev A F, Panchenko V Ya, Shishkov A V Applied Surface Science 153 166 (2000)
Banishev A F, Panchenko V Ya, Shishkov A V Phys. Solid State 41 1408 (1999)
Tsedrik M S, Rosenman G I et al Cryst. Res. Technol. 24 1137 (1989)
Kiselev V F, Krylov O V Springer Series in Surface Sciences Vol. Electronic Phenomena in Adsorption and Catalysis on Semiconductors and DielectricsThe Phonon and Shock Mechanisms of Charge-Carrier Capture in Adsorption and Catalysis7 Chapter 8 (1987) p. 183
Even U, de Lange P J et al Phys. Rev. Lett. 56 965 (1986)
Osip’yan Yu A, Petrenko V F et al Advances in Physics 35 115 (1986)
Voyuev S I, Maslov V M et al Combust Explos Shock Waves 19 267 (1983)
Rosenman G I, Tomashpolskii Ju Ja et al Ferroelectrics 31 139 (1981)
Styrov V V Soviet Physics Journal 24 289 (1981)
Fridkin V M, Boikova E I et al Phys. Stat. Sol. (a) 50 K255 (1978)