|
||||||||||||||||||
Экзоэлектронная эмиссия полупроводниковСодержание: Введение. Понятие экзоэмиссии. Структурная чувствительность эффекта. Пластическая деформация. Фазовые превращения. Диффузия. Радиационные нарушения. Химические и сорбционные процессы. Приборы и методы регистрации параметров ЭЭЭ. Регистрация счетчиком Гейгера — Мюллера. Детектирование вторично-эмиссионными приборами. Локальные методы регистрации ЭЭЭ. Измерение энергии электронов. Физическая природа экзоэлектронной эмиссии. Термоактивационный механизм. Модель электрически заряженной микрощели. Вакансионно-диффузионный механизм эмиссии. Оже-механизм экзоэлектронной эмиссии. Люминесцентная модель эмиссии. «Автоэмиссионный» механизм. Экзоэлектронная эмиссия элементарных полупроводников. Общие замечания. Эмиссионные центры. Кинетика эмиссии. Экзоэлектронная эмиссия полупроводниковых соединений. Заключение. Цитированная литература.
|
||||||||||||||||||
|