Выпуски

 / 

1976

 / 

Август

  

Из текущей литературы


Экзоэлектронная эмиссия полупроводников

Содержание: Введение. Понятие экзоэмиссии. Структурная чувствительность эффекта. Пластическая деформация. Фазовые превращения. Диффузия. Радиационные нарушения. Химические и сорбционные процессы. Приборы и методы регистрации параметров ЭЭЭ. Регистрация счетчиком Гейгера — Мюллера. Детектирование вторично-эмиссионными приборами. Локальные методы регистрации ЭЭЭ. Измерение энергии электронов. Физическая природа экзоэлектронной эмиссии. Термоактивационный механизм. Модель электрически заряженной микрощели. Вакансионно-диффузионный механизм эмиссии. Оже-механизм экзоэлектронной эмиссии. Люминесцентная модель эмиссии. «Автоэмиссионный» механизм. Экзоэлектронная эмиссия элементарных полупроводников. Общие замечания. Эмиссионные центры. Кинетика эмиссии. Экзоэлектронная эмиссия полупроводниковых соединений. Заключение. Цитированная литература.

Текст pdf (1,3 Мб)
PACS: 79.75.+g
DOI: 10.3367/UFNr.0119.197608g.0749
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1976/8/g/
Цитата: Минц Р И, Мильман И И, Крюк В И "Экзоэлектронная эмиссия полупроводников" УФН 119 749–766 (1976)
BibTexBibNote ® (generic) BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
TY JOUR
TI Экзоэлектронная эмиссия полупроводников
AU Минц, Р. И.
AU Мильман, И. И.
AU Крюк, В. И.
PB Успехи физических наук
PY 1976
JO Успехи физических наук
JF Успехи физических наук
JA Усп. физ. наук
VL 119
IS 8
SP 749-766
UR https://ufn.ru/ru/articles/1976/8/g/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0119.197608g.0749

English citation: Mints R I, Mil’man I I, Kryuk V I “Exoelectronic emission of semiconductorsSov. Phys. Usp. 19 697–707 (1976); DOI: 10.1070/PU1976v019n08ABEH005287

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение