Экзоэлектронная эмиссия полупроводников

Содержание: Введение. Понятие экзоэмиссии. Структурная чувствительность эффекта. Пластическая деформация. Фазовые превращения. Диффузия. Радиационные нарушения. Химические и сорбционные процессы. Приборы и методы регистрации параметров ЭЭЭ. Регистрация счетчиком Гейгера — Мюллера. Детектирование вторично-эмиссионными приборами. Локальные методы регистрации ЭЭЭ. Измерение энергии электронов. Физическая природа экзоэлектронной эмиссии. Термоактивационный механизм. Модель электрически заряженной микрощели. Вакансионно-диффузионный механизм эмиссии. Оже-механизм экзоэлектронной эмиссии. Люминесцентная модель эмиссии. «Автоэмиссионный» механизм. Экзоэлектронная эмиссия элементарных полупроводников. Общие замечания. Эмиссионные центры. Кинетика эмиссии. Экзоэлектронная эмиссия полупроводниковых соединений. Заключение. Цитированная литература.

Текст pdf (1,3 Мб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1976v019n08ABEH005287

PACS: 79.75.+g
DOI: 10.3367/UFNr.0119.197608g.0749
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1976/8/g/
Цитата: Минц Р И, Мильман И И, Крюк В И "Экзоэлектронная эмиссия полупроводников" УФН 119 749–766 (1976)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline

RefWorks

Русский

English

RT Journal
T1 Экзоэлектронная эмиссия полупроводников
A1 Минц,Р.И.
A1 Мильман,И.И.
A1 Крюк,В.И.
PB Успехи физических наук
PY 1976
FD 10 Aug, 1976
JF Успехи физических наук
JO Усп. физ. наук
VO 119
IS 8
SP 749-766
DO 10.3367/UFNr.0119.197608g.0749
LK https://ufn.ru/ru/articles/1976/8/g/

English citation: Mints R I, Mil’man I I, Kryuk V I “Exoelectronic emission of semiconductors” Sov. Phys. Usp. 19 697–707 (1976); DOI: 10.1070/PU1976v019n08ABEH005287