Теллурид ртути — полупроводник с нулевой запрещенной зоной

В статье дается обзор основных свойств теллурида ртути, являющегося одним из представителей нового класса веществ — бесщелевых полупроводников. Рассматриваются причины, приводящие к возникновению бесщелевого состояния в халькогенидах ртути; показано, что основную роль в образовании инверсной зонной структуры играют релятивистские поправки. Специфические свойства теллурида ртути связаны с нулевой запрещенной зоной, p-образным характером электронных состояний зоны проводимости и ее непараболичностью, резонансными состояниями примесей и аномалиями диэлектрической проницаемости. Анализируются условия возникновения в теллуриде ртути запрещенной зоны под действием внешних факторов. Таблиц 2, иллюстраций 17, библиографических ссылок 176 (196 назв.).

Текст pdf (2,5 Мб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1976v019n06ABEH005265

PACS: 71.30.Mw
DOI: 10.3367/UFNr.0119.197606b.0223
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1976/6/b/
Цитата: Берченко Н Н, Пашковский М В "Теллурид ртути — полупроводник с нулевой запрещенной зоной" УФН 119 223–255 (1976)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)

MedlineRefWorks

Русский

English

PT Journal Article
TI Mercury telluride—a zero-gap semiconductor
AU Berchenko N N
FAU Berchenko NN
AU Pashkovskii M V
FAU Pashkovskii MV
DP 10 Jun, 1976
TA Usp. Fiz. Nauk
VI 119
IP 6
PG 223-255
RX 10.3367/UFNr.0119.197606b.0223
URL https://ufn.ru/ru/articles/1976/6/b/
SO Usp. Fiz. Nauk 1976 Jun 10;119(6):223-255

English citation: Berchenko N N, Pashkovskii M V “Mercury telluride—a zero-gap semiconductor” Sov. Phys. Usp. 19 462–480 (1976); DOI: 10.1070/PU1976v019n06ABEH005265