Теллурид ртути — полупроводник с нулевой запрещенной зоной

В статье дается обзор основных свойств теллурида ртути, являющегося одним из представителей нового класса веществ — бесщелевых полупроводников. Рассматриваются причины, приводящие к возникновению бесщелевого состояния в халькогенидах ртути; показано, что основную роль в образовании инверсной зонной структуры играют релятивистские поправки. Специфические свойства теллурида ртути связаны с нулевой запрещенной зоной, p-образным характером электронных состояний зоны проводимости и ее непараболичностью, резонансными состояниями примесей и аномалиями диэлектрической проницаемости. Анализируются условия возникновения в теллуриде ртути запрещенной зоны под действием внешних факторов. Таблиц 2, иллюстраций 17, библиографических ссылок 176 (196 назв.).

Текст pdf (2,5 Мб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1976v019n06ABEH005265

PACS: 71.30.Mw
DOI: 10.3367/UFNr.0119.197606b.0223
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1976/6/b/
Цитата: Берченко Н Н, Пашковский М В "Теллурид ртути — полупроводник с нулевой запрещенной зоной" УФН 119 223–255 (1976)

BibTexBibNote ® (generic)

BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Русский

English

TY JOUR
TI Mercury telluride—a zero-gap semiconductor
AU Berchenko, N. N.
AU Pashkovskii, M. V.
PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk
PY 1976
JO Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JA Usp. Fiz. Nauk
VL 119
IS 6
SP 223-255
UR https://ufn.ru/ru/articles/1976/6/b/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0119.197606b.0223

English citation: Berchenko N N, Pashkovskii M V “Mercury telluride—a zero-gap semiconductor” Sov. Phys. Usp. 19 462–480 (1976); DOI: 10.1070/PU1976v019n06ABEH005265