Электронный энергетический спектр бесщелевых полупроводников

Содержание: Введение. Структура энергетических зон бесщелевых полупроводников. Экспериментальные данные, подтверждающие инверсную зонную структуру бесщелевых полупроводников. Энергетический спектр вблизи центра зоны Бриллюэна на основе гамильтониана Латтинджера. Особенности бесщелевых полупроводников. Примесные состояния в бесщелевых полупроводниках. Статистика носителей заряда в бесщелевых полупроводниках. Заключение. Цитированная литература

Текст pdf (1,7 Мб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1976v019n11ABEH005348

PACS: 71.30.Mw
DOI: 10.3367/UFNr.0120.197611a.0337
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1976/11/a/
Цитата: Гельмонт Б Л, Иванов-Омский В И, Цидильковский И М "Электронный энергетический спектр бесщелевых полупроводников" УФН 120 337–362 (1976)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Русский

English

@article{Gel’mont:1976,
	author = {B. L. Gel’mont and V. I. Ivanov-Omskii and I. M. Tsidil’kovskii},
	title = {The electronic energy spectrum of zero-gap semiconductors},
	publisher = {Uspekhi Fizicheskikh Nauk},
	year = {1976},
	journal = {Usp. Fiz. Nauk},
	volume = {120},
	number = {11},
	pages = {337-362},
	url = {https://ufn.ru/ru/articles/1976/11/a/},
	doi = {10.3367/UFNr.0120.197611a.0337}
}

English citation: Gel’mont B L, Ivanov-Omskii V I, Tsidil’kovskii I M “The electronic energy spectrum of zero-gap semiconductors” Sov. Phys. Usp. 19 879–893 (1976); DOI: 10.1070/PU1976v019n11ABEH005348